[實用新型]集成電路

有效

• 申請號: 201920056837.6
• 申請日: 2019-01-14
• 公開（公告）號: CN209461454U
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發明（設計）人: F·F·維拉;M·莫里利;M·馬徹西;S·D·馬里亞尼;F·F·R·托亞
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

本公開的實施例涉及集成電路。一種集成電路，包括：半導體本體，包括前側和背側，并且被配置成支撐電子電路；埋置區域，被設置在半導體本體中，位于電子電路和背側之間的位置處，埋置區域包括導電材料層和電介質層，其中電介質層被布置在導電材料層和半導體本體之間；以及導電路徑，在埋置區域和前側之間延伸，以形成用于電氣接入導電材料層的路徑。由此形成電容器，其中導電材料層提供電容器極板，并且電介質層提供電容器電介質。另一個電容器極板由半導體本體提供，或者由埋置區域中的另一導電材料層提供。

優先權要求

本申請要求于2018年01月15日提交的意大利專利申請號102018000000947的優先權，其內容在法律允許的最大程度上通過整體引用并入于此。

技術領域

本公開涉及具有埋置電容器的半導體裸片。

背景技術

電容器是集成電路中最重要的部件。為了滿足電路應用的不同要求，已經提出了各種類型的電容器，每種類型的電容器都具有它們自己的特性。由于每單位面積的電容有限，電容器通常占據它們所屬的集成電路內的相當大的面積。因此，選擇一種類型的電容器而不是另一種類型的電容器是集成電路設計中的基本方面。

本領域中已知的基本上是三種類型的電容器，即金屬氧化物半導體(MOS)電容器、金屬絕緣金屬(MIM)電容器和金屬氧化物金屬(MOM)電容器。其中，由于它們的薄柵極氧化物結構，MOS電容器具有每單位面積的電容密度的最高值。然而，它們遭受相當大的缺點，諸如突出的非線性、高溫度系數和低擊穿電壓，這使得它們不適用于所有電路應用。MIM電容器和MOM電容器克服了MOS電容器的缺點；然而，與MOS電容器相比，所述MIM電容器和MOM電容器的電容密度相當低。因此，使用MIM電容器和MOM電容器需要較高的面積消耗。

作為上面討論的結果，在許多應用中，優選使用集成電路外部的分立電容器(例如，SMD電容器)。

因此需要使能克服已知類型的電容器的關鍵方面并且同時使能節省面積的電容器。

實用新型內容

在第一方面，提供了一種集成電路，其包括：半導體本體，具有前側和背側；電子電路，在半導體本體中；埋置區域，在半導體本體中，位于電子電路和背側之間，埋置區域包括第一導電材料層和電介質層，電介質層被布置在第一導電材料層和半導體本體之間；以及第一導電路徑，在埋置區域和前側之間，第一導電路徑形成用于電氣接入第一導電材料層的路徑，其中第一導電材料層形成埋置在半導體本體中的電容器的第一極板，并且電介質層形成電容器的電介質。

根據一個實施例，半導體本體形成電容器的第二極板，其中電介質層被布置在電容器的第一極板和第二極板之間。

根據一個實施例，埋置區域還包括在電介質層和半導體本體之間的第二導電材料層，第二導電材料層形成電容器的第二極板，電介質層被布置在電容器的第一極板和第二極板之間。

根據一個實施例，集成電路還包括被布置在第二導電材料層和半導體本體之間的絕緣層，絕緣層被配置成使第二導電材料層與半導體本體電氣絕緣。

根據一個實施例，集成電路還包括在埋置區域和前側之間的至少一個第二導電路徑，至少一個第二導電路徑形成用于電氣接入第二導電材料層的路徑。

根據一個實施例，集成電路還包括在半導體本體的前側上的金屬前電介質層，以及至少一個第一前接觸，至少一個第一前接觸延伸通過金屬前電介質層，直到電氣接觸第一導電路徑，并且至少一個第一前接觸被配置成在使用中以第一操作電壓偏置第一導電材料層。

根據一個實施例，集成電路還包括至少一個第二前接觸，至少一個第二前接觸延伸通過金屬前電介質層，直到電氣接觸第二導電路徑，并且至少一個第二前接觸被配置成在使用中以第二操作電壓偏置第二導電材料層。