[實用新型]集成電路

有效

• 申請號: 201920056837.6
• 申請日: 2019-01-14
• 公開（公告）號: CN209461454U
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發明（設計）人: F·F·維拉;M·莫里利;M·馬徹西;S·D·馬里亞尼;F·F·R·托亞
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種集成電路，其特征在于，包括：

半導體本體，具有前側和背側；

電子電路，在所述半導體本體中；

埋置區域，在所述半導體本體中，位于所述電子電路和所述背側之間，所述埋置區域包括第一導電材料層和電介質層，所述電介質層被布置在所述第一導電材料層和所述半導體本體之間；以及

第一導電路徑，在所述埋置區域和所述前側之間，所述第一導電路徑形成用于電氣接入所述第一導電材料層的路徑，

其中所述第一導電材料層形成埋置在所述半導體本體中的電容器的第一極板，并且所述電介質層形成所述電容器的電介質。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述半導體本體形成所述電容器的第二極板，其中所述電介質層被布置在所述電容器的所述第一極板和所述第二極板之間。

3.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述埋置區域還包括在所述電介質層和所述半導體本體之間的第二導電材料層，所述第二導電材料層形成所述電容器的第二極板，所述電介質層被布置在所述電容器的所述第一極板和所述第二極板之間。

4.根據權利要求3所述的集成電路，其特征在于，還包括被布置在所述第二導電材料層和所述半導體本體之間的絕緣層，所述絕緣層被配置成使所述第二導電材料層與所述半導體本體電氣絕緣。

5.根據權利要求3所述的集成電路，其特征在于，還包括在所述埋置區域和所述前側之間的至少一個第二導電路徑，所述至少一個第二導電路徑形成用于電氣接入所述第二導電材料層的路徑。

6.根據權利要求5所述的集成電路，其特征在于，還包括在所述半導體本體的所述前側上的金屬前電介質層，以及至少一個第一前接觸，所述至少一個第一前接觸延伸通過所述金屬前電介質層，直到電氣接觸所述第一導電路徑，并且所述至少一個第一前接觸被配置成在使用中以第一操作電壓偏置所述第一導電材料層。

7.根據權利要求6所述的集成電路，其特征在于，還包括至少一個第二前接觸，所述至少一個第二前接觸延伸通過所述金屬前電介質層，直到電氣接觸所述第二導電路徑，并且所述至少一個第二前接觸被配置成在使用中以第二操作電壓偏置所述第二導電材料層。

8.根據權利要求5所述的集成電路，其特征在于，還包括背接觸，所述背接觸在所述半導體本體的所述背側上延伸并且被配置成在使用中以操作基準電壓偏置所述半導體本體。

9.根據權利要求6所述的集成電路，其特征在于，還包括第二前接觸，所述第二前接觸延伸通過所述金屬前電介質層，直到到達所述半導體本體并且電氣接觸所述半導體本體，并且所述第二前接觸被配置成在使用中以操作基準電壓偏置所述半導體本體。

10.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，還包括在所述半導體本體的所述前側上的金屬前電介質層，以及至少一個第一前接觸，所述至少一個第一前接觸延伸通過所述金屬前電介質層，直到電氣接觸所述第一導電路徑，并且所述至少一個第一前接觸被配置成在使用中以第一操作電壓偏置所述第一導電材料層。

11.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第一導電材料層和所述第一導電路徑由相同材料制成并且形成連續的路徑。

12.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第一導電材料層由從由摻雜多晶硅、金屬和金屬合金構成的組中選擇的材料制成。

13.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述半導體本體包括：

襯底，具有第一導電類型；和

外延層，具有所述第一導電類型，所述外延層在所述襯底之上延伸，

其中所述埋置區域在所述襯底中延伸，并且所述電子電路在所述外延層中延伸。