[實用新型]一種晶圓背面邊緣區清洗設備有效
| 申請號: | 201920034201.1 | 申請日: | 2019-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN209249434U | 公開(公告)日: | 2019-08-13 |
| 發明(設計)人: | 黃玉輝 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 背面邊緣 晶圓 清洗設備 種晶 本實用新型 晶圓背面 清洗 產品良率 固定支撐 晶圓邊緣 晶圓中心 清洗過程 噴嘴 邊緣區 承載臺 可旋轉 清洗液 制程 噴射 損傷 | ||
本實用新型提供一種晶圓背面邊緣區清洗設備,清洗設備包括:可旋轉承載臺,位于晶圓中心下方,用于固定支撐及旋轉所述晶圓;噴嘴,設置于晶圓邊緣區下方或所述晶圓外側下方,用于向所述晶圓的背面邊緣區噴射清洗液,以清洗所述晶圓的背面邊緣區。本實用新型的一種晶圓背面邊緣區清洗設備能清除晶圓背面邊緣區微粒,有效清洗晶圓背面,減少清洗過程中對晶圓背面的損傷,有利于后續制程的穩定,提高產品良率。
技術領域
本實用新型屬于半導體制造領域,特別是涉及一種晶圓背面邊緣區清洗設備。
背景技術
現有的晶圓背面邊緣區清洗方法包括步驟:提供一晶圓、一可旋轉承載臺和一背面去除裝置,所述可旋轉承載臺固定于所述晶圓中心下方,以支撐所述晶圓,將所述背面去除裝置設置于所述晶圓邊緣區下方并與所述晶圓接觸;旋轉所述可旋轉承載臺以使所述晶圓旋轉,對所述晶圓進行洗刷和拋光處理,以清洗所述晶圓的背面邊緣區。
晶圓背面邊緣區微粒較多,現有的通過洗刷、拋光去除晶圓背面邊緣區微粒會損傷晶圓背面,并影響后續制程。
實用新型內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本實用新型的目的在于提供一種晶圓背面邊緣區清洗設備,用于解決現有技術的在清洗過程中對晶圓背面的損傷的問題,有利于后續制程的穩定,提高產品良率。
為實現上述目的及其他相關目的,本實用新型提供一種晶圓背面邊緣區清洗設備,包括:
可旋轉承載臺,位于晶圓中心下方,用于固定支撐及旋轉所述晶圓;
噴嘴,設置于晶圓邊緣區下方或所述晶圓外側下方,用于向所述晶圓的背面邊緣區噴射清洗液,以清洗所述晶圓的背面邊緣區。
可選地,所述晶圓背面邊緣區清洗設備包括多個所述噴嘴,且各所述噴嘴與水平面之間具有相同的夾角,各所述噴嘴與所述晶圓下表面之間具有相同的距離。
可選地,所述噴嘴數量介于3~5個之間,所述噴嘴沿所述晶圓半徑方向排成一列。
可選地,所述噴嘴朝所述晶圓的內側傾斜,所述噴嘴與水平面之間的夾角介于45度~60度之間。
可選地,位于最外側的所述噴嘴在所述晶圓的投影范圍之外,且與所述晶圓側邊的水平距離介于80mm~120mm之間。
可選地,位于最外側的所述噴嘴與水平面之間的夾角C、位于最外側的所述噴嘴與所述晶圓的側邊的水平距離B、位于最外側的所述噴嘴與所述晶圓下表面之間的距離A之間的關系滿足:tanC=A/B。
可選地,所述清洗液的種類包括去離子水,所述清洗液的壓強介于6MPa~10MPa之間,所述可旋轉承載臺的轉速介于40rpm/sec~50rpm/sec之間。
可選地,所述晶圓背面邊緣區清洗設備還包括閥門和增壓裝置;其中,所述閥門連接所述噴嘴,以控制所述噴嘴的開關;所述增壓裝置連接清洗液源,并與所述閥門相連接,所述增壓裝置用于對所述清洗液進行增壓處理。
如上所述,本實用新型提供的晶圓背面邊緣區清洗設備能清除晶圓背面邊緣區微粒,有效清洗晶圓背面,減少清洗過程中對晶圓背面邊緣區的損傷,有利于后續制程的穩定,提高產品良率。進一步地,本實用新型的晶圓背面邊緣區清洗設備中噴嘴朝所述晶圓中心上方方向傾斜,所述噴嘴方向與水平面之間的夾角介于45度~60度之間,有效的清除晶圓背面邊緣區微粒,防止清洗液濺到晶圓正面。
附圖說明
圖1顯示為本實用新型的一種晶圓背面邊緣區清洗設備所呈現的結構示意圖。
圖2顯示為本實用新型的一種晶圓背面邊緣區清洗設備中噴嘴連接示意圖。
圖3顯示為本實用新型的一種晶圓背面中心清洗設備所呈現的結構示意圖。
元件標號說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





