[實用新型]一種用于晶片成膜的新型加熱盤和傳片機構

有效

• 申請號: 201920025923.0
• 申請日: 2019-01-08
• 公開（公告）號: CN209397261U
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 張彬彬;王彬
• 申請（專利權）人: 天津維普泰克科技發展有限公司
• 主分類號: C23C16/46
• 分類號: C23C16/46;C23C16/458
• 代理公司: 北京沁優知識產權代理事務所(普通合伙) 11684
• 代理人: 汪發成

1.一種用于晶片成膜的新型加熱盤和傳片機構，包括加熱盤和傳片機構，所述加熱盤與傳片機構構成升降機構，所述加熱盤上開設有傳片機構升降孔和若干組工位槽，所述傳片機構升降孔設于加熱盤的中心，若干個所述工位槽呈矩陣均勻分布在加熱盤的四周；所述傳片機構包括升降盤和若干組工位托，所述升降盤滑動設于傳片機構升降孔內，所述工位托呈矩陣均勻分布在升降盤的四周，所述工位托與工位槽的數量和形狀相匹配；其特征在于，所述工位槽和工位托的形狀均為圓盤狀，所述工位托的一側設有承片托，所述工位托的高度小于等于工位槽的高度。

2.根據權利要求1所述的一種用于晶片成膜的新型加熱盤和傳片機構，其特征在于，所述工位托由直桿、弧形桿和承片托構成，所述承片托包括第一承片托和第二承片托，所述直桿的一端固定設于升降盤的一側，所述直桿遠離升降盤的一側固定設有弧形桿，所述弧形桿遠離直桿的一側固定設有第一承片托，所述第二承片托固定在弧形桿上，且所述第二承片托的延長線與第一承片托的延長線相互垂直。

3.根據權利要求2所述的一種用于晶片成膜的新型加熱盤和傳片機構，其特征在于，所述弧形桿的直徑大于晶片的直徑，相互垂直的第一承片托和第二承片托之間的距離小于晶片的直徑。

4.根據權利要求2或3所述的一種用于晶片成膜的新型加熱盤和傳片機構，其特征在于，所述直桿、弧形桿和承片托為一體成型結構。

5.根據權利要求1所述的一種用于晶片成膜的新型加熱盤和傳片機構，其特征在于，所述承片托與工位托為一體成型結構。

6.根據權利要求1所述的一種用于晶片成膜的新型加熱盤和傳片機構，其特征在于，所述工位槽的數量的為8組，所述工位托的數量為8組。

7.根據權利要求1、2或3所述的一種用于晶片成膜的新型加熱盤和傳片機構，其特征在于，所述工位托的高度等于工位槽的高度。