[實(shí)用新型]一種用于晶片成膜的新型加熱盤和傳片機(jī)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920025923.0
• 申請日: 2019-01-08
• 公開（公告）號: CN209397261U
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張彬彬;王彬
• 申請（專利權(quán)）人: 天津維普泰克科技發(fā)展有限公司
• 主分類號: C23C16/46
• 分類號: C23C16/46;C23C16/458
• 代理公司: 北京沁優(yōu)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11684
• 代理人: 汪發(fā)成

本實(shí)用新型公開了一種用于晶片成膜的新型加熱盤和傳片機(jī)構(gòu)，包括加熱盤和傳片機(jī)構(gòu)，所述加熱盤與傳片機(jī)構(gòu)構(gòu)成升降機(jī)構(gòu)，所述加熱盤上開設(shè)有傳片機(jī)構(gòu)升降孔和若干組工位槽；所述傳片機(jī)構(gòu)包括升降盤和若干組工位托，所述工位托與工位槽的數(shù)量和形狀相匹配；所述工位槽和工位托的形狀均為圓盤狀，所述工位托的一側(cè)設(shè)有承片托，所述工位托的高度小于等于工位槽的高度。本實(shí)用新型可以改進(jìn)砷化鎵晶片或通用晶片在PECVD工藝的薄膜生產(chǎn)的過程中成膜均勻差和晶片背面有膜的痕跡，影響后續(xù)光刻工序的工藝質(zhì)量的技術(shù)問題，最終可以大大提高晶片熱場的均勻性以及晶片成膜后的均勻性，且沒有滑片的風(fēng)險。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及晶片成膜技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種用于晶片成膜的新型加熱盤和傳片機(jī)構(gòu)。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的加熱盤和傳片機(jī)構(gòu)如圖1所示，工位托為直條狀，且工位托的高度高于工位槽的高度；目前的砷化鎵晶片或通用晶片在PECVD工藝的薄膜生產(chǎn)的過程中均在這種傳統(tǒng)的加熱盤和傳片機(jī)構(gòu)上進(jìn)行成膜，由于工位托位于晶片的下方，而工位托不具備加熱功能，導(dǎo)致晶片的溫度不均勻，影響成膜的均勻性；另外，由于傳片機(jī)構(gòu)上對晶片進(jìn)行支撐的工位托與加熱盤之間存在間隙，成膜過程中會在晶片的背面留有直條狀膜的痕跡，影響后續(xù)光刻工序的工藝質(zhì)量。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型針對上述背景技術(shù)中的不足，設(shè)計(jì)了一種用于晶片成膜的新型加熱盤和傳片機(jī)構(gòu)，可以改進(jìn)砷化鎵晶片或通用晶片在PECVD工藝的薄膜生產(chǎn)的過程中成膜均勻差和晶片背面有膜的痕跡，影響后續(xù)光刻工序的工藝質(zhì)量的技術(shù)問題，最終可以大大提高晶片熱場的均勻性以及晶片成膜后的均勻性，且沒有滑片的風(fēng)險。

實(shí)現(xiàn)上述目的本實(shí)用新型的技術(shù)方案為，一種用于晶片成膜的新型加熱盤和傳片機(jī)構(gòu)，包括加熱盤和傳片機(jī)構(gòu)，所述加熱盤與傳片機(jī)構(gòu)構(gòu)成升降機(jī)構(gòu)，所述加熱盤上開設(shè)有傳片機(jī)構(gòu)升降孔和若干組工位槽，所述傳片機(jī)構(gòu)升降孔設(shè)于加熱盤的中心，若干個所述工位槽呈矩陣均勻分布在加熱盤的四周；所述傳片機(jī)構(gòu)包括升降盤和若干組工位托，所述升降盤滑動設(shè)于傳片機(jī)構(gòu)升降孔內(nèi)，所述工位托呈矩陣均勻分布在升降盤的四周，所述工位托與工位槽的數(shù)量和形狀相匹配；所述工位槽和工位托的形狀均為圓盤狀，所述工位托的一側(cè)設(shè)有承片托，所述工位托的高度小于等于工位槽的高度。

進(jìn)一步地，所述工位托由直桿、弧形桿和承片托構(gòu)成，所述承片托包括第一承片托和第二承片托，所述直桿的一端固定設(shè)于升降盤的一側(cè)，所述直桿遠(yuǎn)離升降盤的一側(cè)固定設(shè)有弧形桿，所述弧形桿遠(yuǎn)離直桿的一側(cè)固定設(shè)有第一承片托，所述第二承片托固定在弧形桿上，且所述第二承片托的延長線與第一承片托的延長線相互垂直。

進(jìn)一步地，所述弧形桿的直徑大于晶片的直徑，相互垂直的第一承片托和第二承片托之間的距離小于晶片的直徑。

進(jìn)一步地，所述直桿、弧形桿和承片托為一體成型結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，所述承片托與工位托為一體成型結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，所述工位槽的數(shù)量的為8組，所述工位托的數(shù)量為8組。

進(jìn)一步地，所述工位托的高度等于工位槽的高度。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有的優(yōu)點(diǎn)和有益效果是，

1.本實(shí)用新型通過加熱盤和傳片機(jī)構(gòu)，且加熱盤上開設(shè)有傳片機(jī)構(gòu)升降孔和若干組工位槽；傳片機(jī)構(gòu)包括升降盤和若干組工位托，工位托與工位槽的數(shù)量和形狀相匹配；工位槽和工位托的形狀均為圓盤狀，工位托的一側(cè)設(shè)有承片托，這樣的組合，使得晶片的熱場會更均勻，得到的膜厚也更均勻。

2.本實(shí)用新型中工位托的高度小于等于工位槽的高度，由于工位托隨升降盤下落后，晶片是實(shí)坐在加熱盤上，因此晶片背面與加熱盤沒有間隙，故減少了晶片背面粒子顆粒產(chǎn)生，避免了晶片背面留有直條狀膜的痕跡。