[發(fā)明專利]異或門器件及控制異或門器件的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911426073.6 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113131927A | 公開(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李祎;程龍;楊嶺;繆向水;董偉偉;蒲貴友;黃克驥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華為技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03K19/20 | 分類號(hào): | H03K19/20;H03K19/21 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518129 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 器件 控制 方法 | ||
1.一種異或門器件,其特征在于,包括:
控制電路;
兩個(gè)憶阻器;
其中,兩個(gè)憶阻器的正極與分別與控制電路的兩個(gè)輸出端連接,兩個(gè)憶阻器的負(fù)極連接到一起,形成反向串聯(lián)結(jié)構(gòu);
所述控制電路用于:
接收兩個(gè)邏輯值,并將所述邏輯值轉(zhuǎn)換為所述兩個(gè)邏輯值對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)電壓后,分別輸入所述兩個(gè)憶阻器的正極;
根據(jù)所述兩個(gè)憶阻器的阻值狀態(tài)確定通過所述異或門的邏輯輸出。
2.如權(quán)利要求1所述的異或門器件,其特征在于,當(dāng)多個(gè)異或門被設(shè)置為矩陣以構(gòu)成芯片時(shí),所述兩個(gè)憶阻器分別通過位線與所述控制電路連接,所述兩個(gè)憶阻器的負(fù)極通過字線連接。
3.如權(quán)利要求1或2所述的異或門器件,其特征在于,所述控制電路還用于:
在接收所述兩個(gè)邏輯值之前,將所述兩個(gè)憶阻器都設(shè)置為高阻態(tài),所述高阻態(tài)為憶阻器的阻值大于等于一預(yù)設(shè)值。
4.如權(quán)利要求1至3任意一項(xiàng)所述的異或門器件,其特征在于,所述兩個(gè)邏輯值分別為邏輯“0”和邏輯“1”,其中所述邏輯“0”對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)電壓為0伏,所述邏輯“1”對(duì)應(yīng)的電壓為Vq伏,所述Vq大于兩倍的臨界電壓,所述臨界電壓為憶阻器從高阻態(tài)轉(zhuǎn)變至低阻態(tài)的臨界電壓。
5.如權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的異或門器件,其特征在于,所述控制電路在根據(jù)所述兩個(gè)憶阻器的阻值狀態(tài)確定通過所述異或門的邏輯輸出包括:
向所述兩個(gè)憶阻器輸入讀取電壓,所述讀取電壓為不會(huì)使所述憶阻器的阻值狀態(tài)發(fā)生變化的電壓;
分別偵測(cè)所述兩個(gè)憶阻器的電流,當(dāng)偵測(cè)的電流大于第一預(yù)設(shè)值,則確定所偵測(cè)的憶阻器為低阻態(tài),當(dāng)偵測(cè)的電流小于第二預(yù)設(shè)值,則確定所偵測(cè)的憶阻器為低阻態(tài),其中,所述低阻態(tài)表示邏輯0,所述高阻態(tài)表示邏輯1;
根據(jù)異或運(yùn)算的規(guī)則計(jì)算邏輯輸出。
6.一種控制權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的異或門器件實(shí)現(xiàn)異或計(jì)算的方法,所述方法包括:
將所述異或門器件包含的兩個(gè)憶阻器設(shè)置為高阻態(tài);
接收兩個(gè)邏輯值,將所述邏輯值轉(zhuǎn)換為所述兩個(gè)邏輯值對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)電壓,并將轉(zhuǎn)換后的預(yù)設(shè)電壓分別輸入所述兩個(gè)憶阻器的正極;
根據(jù)所述兩個(gè)憶阻器的阻值狀態(tài)確定通過所述異或門的邏輯輸出。
7.如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述兩個(gè)邏輯值分別為邏輯“0”和邏輯“1”,其中所述邏輯“0”對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)電壓為0伏,所述邏輯“1”對(duì)應(yīng)的電壓為Vq伏,所述Vq大于兩倍的臨界電壓,所述臨界電壓為憶阻器從高阻態(tài)轉(zhuǎn)變至低阻態(tài)的臨界電壓。
8.如權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述在根據(jù)所述兩個(gè)憶阻器的阻值狀態(tài)確定通過所述異或門的邏輯輸出包括:
向所述兩個(gè)憶阻器輸入讀取電壓,所述讀取電壓為不會(huì)使所述憶阻器的阻值狀態(tài)發(fā)生變化的電壓;
分別偵測(cè)所述兩個(gè)憶阻器的電流,當(dāng)偵測(cè)的電流大于第一預(yù)設(shè)值,則確定所偵測(cè)的憶阻器為低阻態(tài),當(dāng)偵測(cè)的電流小于第二預(yù)設(shè)值,則確定所偵測(cè)的憶阻器為高阻態(tài),其中,所述低阻態(tài)表示邏輯0,所述高阻態(tài)表示邏輯1,所述第一預(yù)設(shè)值小于第二預(yù)設(shè)值;
根據(jù)異或運(yùn)算的規(guī)則計(jì)算邏輯輸出。
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