[發(fā)明專利]一種檢測膜片式真空壓力計(jì)沉積物的裝置及其應(yīng)用

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911425754.0
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111141813A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王迪;陳林;林琳;靳毅;郜晨希;劉瑞琪;遠(yuǎn)雁;鄭旭;李超波;張心強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所;川北真空科技（北京）有限公司
• 主分類號: G01N27/62
• 分類號: G01N27/62;G01L21/30;G01L27/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 方丁一

1.一種檢測膜片式真空壓力計(jì)沉積物的裝置，其特征在于，所述裝置包括：

預(yù)處理腔室(1)，用于將所述膜片式真空壓力計(jì)中帶有沉積物的膜片表面進(jìn)行預(yù)處理，去除雜質(zhì)；

氣化腔室(2)，用于將膜片表面的沉積物氣化；

分析腔室(3)，所述分析腔室(3)與所述氣化腔室(2)連通，用于分析氣化后的沉積物氣體的組成成分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述氣化腔室(2)中設(shè)置電子槍或離子注入裝置，所述電子槍或離子注入裝置用于轟擊膜片表面的沉積物，使該沉積物氣化。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述氣化腔室(2)中設(shè)置第一加熱裝置，所述第一加熱裝置用于轟擊膜片表面的沉積物，使該沉積物氣化。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述預(yù)處理腔室(1)中設(shè)置第二加熱裝置，所述第二加熱裝置用于去除水蒸氣。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括減壓裝置(4)，所述減壓裝置(4)設(shè)置于所述氣化腔室(2)與所述分析腔室(3)之間，用于對氣化后的沉積物氣體進(jìn)行減壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述減壓裝置(4)包括流體通道和設(shè)置于同一平面上的N個不同直徑的孔或孔陣，該平面垂直于所述流體通道，N≥2。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述分析腔室(3)中設(shè)置質(zhì)譜分析儀器。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述質(zhì)譜分析儀器為磁偏轉(zhuǎn)質(zhì)譜計(jì)、離子阱質(zhì)譜計(jì)、四極質(zhì)譜計(jì)、飛行時(shí)間質(zhì)譜計(jì)中的一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述預(yù)處理腔室(1)、所述氣化腔室(2)、所述分析腔室(3)和所述減壓裝置(4)均設(shè)置相應(yīng)的真空度。

10.一種利用權(quán)利要求1-9所述的裝置進(jìn)行膜片式真空壓力計(jì)沉積物清除的應(yīng)用。