[發(fā)明專利]發(fā)聲裝置和電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911425540.3
• 申請(qǐng)日: 2019-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN111131942A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 牛家鵬;孫志軍;牟宗君
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 歌爾科技有限公司
• 主分類號(hào): H04R1/02
• 分類號(hào): H04R1/02;H04R1/28
• 代理公司: 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287
• 代理人: 胡海國(guó)

本發(fā)明公開一種發(fā)聲裝置和電子設(shè)備，其中，發(fā)聲裝置包括：殼體，所述殼體的相對(duì)兩側(cè)分別為前聲腔和后聲腔；以及揚(yáng)聲器單體，所述揚(yáng)聲器單體固定于所述殼體，且所述揚(yáng)聲器單體的出音端與所述前聲腔連通；所述殼體上設(shè)有泄露結(jié)構(gòu)，所述泄露結(jié)構(gòu)包括與所述后聲腔隔開的抗性消聲腔、連通所述后聲腔和所述抗性消聲腔的第一泄露孔、及連通所述抗性消聲腔和所述前聲腔的第二泄露孔。本發(fā)明的技術(shù)方案能降低發(fā)聲裝置上泄露結(jié)構(gòu)處的氣流擾動(dòng)噪聲，改善產(chǎn)品振動(dòng)位移的對(duì)稱性，從而提高產(chǎn)品的聲學(xué)性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電聲設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)聲裝置和電子設(shè)備。

背景技術(shù)

對(duì)于常見的發(fā)聲裝置，其通常包括殼體和設(shè)于殼體的揚(yáng)聲器單體，殼體的相對(duì)兩側(cè)分別為前聲腔和后聲腔。殼體上通常還設(shè)有用以連通后聲腔和前聲腔的泄露孔。然而，泄露孔處會(huì)產(chǎn)生氣流擾動(dòng)噪聲，而影響產(chǎn)品振動(dòng)位移的對(duì)稱性，從而導(dǎo)致用戶對(duì)產(chǎn)品聲學(xué)性能的穩(wěn)定性無法滿足。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的是提出一種發(fā)聲裝置，旨在降低發(fā)聲裝置上泄露結(jié)構(gòu)處的氣流擾動(dòng)噪聲，改善產(chǎn)品振動(dòng)位移的對(duì)稱性，從而提高產(chǎn)品的聲學(xué)性能。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出的發(fā)聲裝置包括：

殼體，所述殼體的相對(duì)兩側(cè)分別為前聲腔和后聲腔；以及

揚(yáng)聲器單體，所述揚(yáng)聲器單體固定于所述殼體，且所述揚(yáng)聲器單體的出音端與所述前聲腔連通；

所述殼體上設(shè)有泄露結(jié)構(gòu)，所述泄露結(jié)構(gòu)包括與所述后聲腔隔開的抗性消聲腔、連通所述后聲腔和所述抗性消聲腔的第一泄露孔、及連通所述抗性消聲腔和所述前聲腔的第二泄露孔。

可選地，所述第一泄露孔和/或所述第二泄露孔處蓋設(shè)有阻尼網(wǎng)布。

可選地，所述阻尼網(wǎng)布位于所述抗性消聲腔內(nèi)。

可選地，所述殼體具有面向所述后聲腔的第一表面，所述殼體設(shè)有所述第二泄露孔，所述第一表面設(shè)有環(huán)設(shè)于所述第二泄露孔外周的環(huán)狀腔體件，所述環(huán)狀腔體件的遠(yuǎn)離所述殼體的一端設(shè)有腔蓋，所述抗性消聲腔為所述環(huán)狀腔體件的內(nèi)腔，所述腔蓋上設(shè)有所述第一泄露孔。

可選地，所述殼體具有面向所述前聲腔的第二表面，所述殼體設(shè)有所述第一泄露孔，所述第二表面設(shè)有環(huán)設(shè)于所述第一泄露孔外周的環(huán)狀腔體件，所述環(huán)狀腔體件的遠(yuǎn)離所述殼體的一端設(shè)有腔蓋，所述抗性消聲腔為所述環(huán)狀腔體件的內(nèi)腔，所述腔蓋上設(shè)有所述第二泄露孔。

可選地，所述環(huán)狀腔體件與所述殼體粘接；及/或，所述腔蓋與所述環(huán)狀腔體件粘接。

可選地，所述腔蓋設(shè)置為第一背膠件；及/或，所述環(huán)狀腔體件設(shè)置為第二背膠件。

可選地，所述殼體具有面向所述后聲腔的第一表面，所述殼體朝向所述前聲腔凸設(shè)成型有相對(duì)所述第一表面沉設(shè)的抗性消聲沉槽，所述抗性消聲沉槽的槽底設(shè)有所述第二泄露孔，所述抗性消聲沉槽的內(nèi)腔為所述抗性消聲腔，所述抗性消聲沉槽的槽口設(shè)有腔蓋，所述腔蓋上設(shè)有所述第一泄露孔。

可選地，所述殼體具有面向所述前聲腔的第二表面，所述殼體朝向所述后聲腔凸設(shè)成型有相對(duì)所述第二表面沉設(shè)的抗性消聲沉槽，所述抗性消聲沉槽的槽底設(shè)有所述第一泄露孔，所述抗性消聲沉槽的內(nèi)腔為所述抗性消聲腔，所述抗性消聲沉槽的槽口設(shè)有腔蓋，所述腔蓋上設(shè)有所述第二泄露孔。

本發(fā)明還提出一種電子設(shè)備，包括前述的發(fā)聲裝置。