[發(fā)明專利]發(fā)聲裝置和電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911425540.3
• 申請(qǐng)日: 2019-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111131942A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 牛家鵬;孫志軍;牟宗君
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 歌爾科技有限公司
• 主分類號(hào): H04R1/02
• 分類號(hào): H04R1/02;H04R1/28
• 代理公司: 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287
• 代理人: 胡海國(guó)

1.一種發(fā)聲裝置，其特征在于，包括：

殼體，所述殼體的相對(duì)兩側(cè)分別為前聲腔和后聲腔；以及

揚(yáng)聲器單體，所述揚(yáng)聲器單體固定于所述殼體，且所述揚(yáng)聲器單體的出音端與所述前聲腔連通；

所述殼體上設(shè)有泄露結(jié)構(gòu)，所述泄露結(jié)構(gòu)包括與所述后聲腔隔開(kāi)的抗性消聲腔、連通所述后聲腔和所述抗性消聲腔的第一泄露孔、及連通所述抗性消聲腔和所述前聲腔的第二泄露孔。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述第一泄露孔和/或所述第二泄露孔處蓋設(shè)有阻尼網(wǎng)布。

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述阻尼網(wǎng)布位于所述抗性消聲腔內(nèi)。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述殼體具有面向所述后聲腔的第一表面，所述殼體設(shè)有所述第二泄露孔，所述第一表面設(shè)有環(huán)設(shè)于所述第二泄露孔外周的環(huán)狀腔體件，所述環(huán)狀腔體件的遠(yuǎn)離所述殼體的一端設(shè)有腔蓋，所述抗性消聲腔為所述環(huán)狀腔體件的內(nèi)腔，所述腔蓋上設(shè)有所述第一泄露孔。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述殼體具有面向所述前聲腔的第二表面，所述殼體設(shè)有所述第一泄露孔，所述第二表面設(shè)有環(huán)設(shè)于所述第一泄露孔外周的環(huán)狀腔體件，所述環(huán)狀腔體件的遠(yuǎn)離所述殼體的一端設(shè)有腔蓋，所述抗性消聲腔為所述環(huán)狀腔體件的內(nèi)腔，所述腔蓋上設(shè)有所述第二泄露孔。

6.如權(quán)利要求4或5所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述環(huán)狀腔體件與所述殼體粘接；及/或，所述腔蓋與所述環(huán)狀腔體件粘接。

7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述腔蓋設(shè)置為第一背膠件；及/或，所述環(huán)狀腔體件設(shè)置為第二背膠件。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述殼體具有面向所述后聲腔的第一表面，所述殼體朝向所述前聲腔凸設(shè)成型有相對(duì)所述第一表面沉設(shè)的抗性消聲沉槽，所述抗性消聲沉槽的槽底設(shè)有所述第二泄露孔，所述抗性消聲沉槽的內(nèi)腔為所述抗性消聲腔，所述抗性消聲沉槽的槽口設(shè)有腔蓋，所述腔蓋上設(shè)有所述第一泄露孔。

9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述殼體具有面向所述前聲腔的第二表面，所述殼體朝向所述后聲腔凸設(shè)成型有相對(duì)所述第二表面沉設(shè)的抗性消聲沉槽，所述抗性消聲沉槽的槽底設(shè)有所述第一泄露孔，所述抗性消聲沉槽的內(nèi)腔為所述抗性消聲腔，所述抗性消聲沉槽的槽口設(shè)有腔蓋，所述腔蓋上設(shè)有所述第二泄露孔。

10.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的發(fā)聲裝置。