[發明專利]溫補層結構、體聲波諧振器及制造方法，濾波器、電子設備

在審

• 申請號: 201911424743.0
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111092606A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 龐慰;閆德海;張孟倫
• 申請（專利權）人: 諾思（天津）微系統有限責任公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H3/04
• 代理公司: 北京金誠同達律師事務所 11651
• 代理人: 湯雄軍

1.一種溫補層結構，包括：

溫補層，所述溫補層的端部的上側為斜面以使得溫補層的端部為楔形端面，溫補層的端部的上側與溫補層的底側之間形成的角度小于60°；

覆蓋在溫補層上方的上種子層，

其中：

所述上種子層的至少一端具有延伸到溫補層的外側的延伸部。

2.根據權利要求1所述的溫補層結構，其中：

所述溫補層結構還包括設置在溫補層下方的下種子層，下種子層的端部至少與溫補層的端部齊平；

溫補層在厚度方向上包覆在上種子層與下種子層之間。

3.根據權利要求2所述的溫補層結構，其中：

所述上種子層的延伸部延伸到下種子層的外側且與所述下種子層同層布置。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的溫補層結構，其中：

所述延伸部的延伸長度在0.5μm-5μm的范圍內。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的溫補層結構，其中：

所述上種子層的兩端均具有所述延伸部。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的溫補層結構，其中：

溫補層的端部的上側與溫補層的底側之間形成的角度不大于20°。

7.根據權利要求1所述的溫補層結構，其中：

溫補層的端部的上側與溫補層的底側之間形成的角度在8°-12°的范圍內。

8.一種形成溫補層結構的方法，所述溫補層結構包括溫補層，覆蓋在溫補層上方的上種子層，所述方法包括步驟：

在一層諧振器材料上溫補層；

圖形化溫補層，使得溫補層的端部的上側為斜面以使得溫補層的端部為楔形端面，溫補層的端部的上側與溫補層的底側之間形成的角度小于60°；

在圖形化的溫補層覆蓋上種子層，使得上種子層的至少一端延伸到溫補層的外側而具有延伸部；

圖形化上種子層，以使得上種子層的延伸部的延伸長度為預定長度。

9.一種形成溫補層結構的方法，所述溫補層結構包括溫補層，設置在溫補層下方的下種子層和覆蓋在溫補層上方的上種子層，所述方法包括步驟：

在一層諧振器材料上依次設置下種子層以及溫補層；

圖形化溫補層以及下種子層，使得溫補層的端部的上側為斜面以使得溫補層的端部為楔形端面且第一種子層的端部至少與溫補層的端部齊平，溫補層的端部的上側與溫補層的底側之間形成的角度小于60°；

在圖形化的溫補層和下種子層上覆蓋上種子層，使得上種子層的至少一端延伸到溫補層的外側而具有延伸部；

圖形化上種子層，以使得上種子層的延伸部的延伸長度為預定長度。

10.根據權利要求9所述的方法，其中：

在圖形化的溫補層和下種子層上覆蓋上種子層的步驟中，所述上種子層的延伸部延伸到下種子層的外側且與所述下種子層同層布置。

11.根據權利要求8-10中任一項所述的方法，其中：

在圖形化溫補層的步驟中，使得溫補層的端部的上側為斜面以使得溫補層的端部為楔形端面。

12.一種體聲波諧振器，包括：

聲學鏡；

底電極；

頂電極；和

壓電層，

其中：

底電極、壓電層和頂電極中的至少一個設置有根據權利要求1-7中任一項所述的溫補層結構。

13.一種濾波器，包括根據權利要求12所述的體聲波諧振器。

14.一種電子設備，包括根據權利要求13的濾波器或者根據權利要求1-7中任一項所述的溫補層結構。