[發明專利]溫補層結構、體聲波諧振器及制造方法，濾波器、電子設備

在審

• 申請號: 201911424743.0
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111092606A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 龐慰;閆德海;張孟倫
• 申請（專利權）人: 諾思（天津）微系統有限責任公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H3/04
• 代理公司: 北京金誠同達律師事務所 11651
• 代理人: 湯雄軍

本發明涉及一種溫補層結構，包括溫補層，所述溫補層的端部的上側為斜面以使得溫補層的端部為楔形端面，溫補層的端部的上側與溫補層的底側之間形成的角度小于60°；覆蓋在溫補層上方的上種子層，其中：所述上種子層的至少一端具有延伸到溫補層的外側的延伸部。本發明還涉及一種體聲波諧振器，一種溫補層結構的制造方法，一種體聲波諧振器的制造方法，一種濾波器以及一種電子設備。

技術領域

本發明的實施例涉及半導體領域，尤其涉及一種溫補層結構及其制造方法，一種體聲波諧振器，一種濾波器，一種子設備。

背景技術

目前，體聲波諧振器一般具有負頻率溫漂系數，其頻率溫漂系數大概是-30PPM/K，其原因在于體聲波諧振器的壓電材料和電極材料是負頻率溫漂系數，這表示這些材料的剛度會隨著溫度的升高而減小,剛度降低會使聲速下降。結合V＝F*λ＝F*2d(其中V為聲速，F為頻率，λ為波長，d為壓電層厚度)，所以頻率會降低；但當溫度升高時，SiO₂以及正頻率溫漂系數材料的剛度會提高。所以可以通過增加SiO₂以及正頻率溫漂系數材料層(即溫補層)，來防止諧振器剛度下降導致聲速下降，從而防止頻率漂移。

但是，但是在制造過程中，溫補層的工藝兼容性不好，FBAR的后期制作工藝流程容易導致溫補層的損壞。所以如何在制造上實現一個穩定完整的溫補層是業界難題。

發明內容

為解決現有技術中的上述技術問題的至少一個方面，提出本發明。

根據本發明的實施例的一個方面，提出了一種溫補層結構，包括：

溫補層，所述溫補層的端部的上側為斜面以使得溫補層的端部為楔形端面，溫補層的端部的上側與溫補層的底側之間形成的角度小于60°；

覆蓋在溫補層上方的上種子層，

其中：

所述上種子層的至少一端具有延伸到溫補層的外側的延伸部。

根據本發明的實施例的另一方面，提出了一種形成溫補層結構的方法，所述溫補層結構包括溫補層，覆蓋在溫補層上方的上種子層，所述方法包括步驟：

在一層諧振器材料上溫補層；

圖形化溫補層，使得溫補層的端部的上側為斜面以使得溫補層的端部為楔形端面，溫補層的端部的上側與溫補層的底側之間形成的角度小于60°；

在圖形化的溫補層覆蓋上種子層，使得上種子層的至少一端延伸到溫補層的外側而具有延伸部；

圖形化上種子層，以使得上種子層的延伸部的延伸長度為預定長度。

根據本發明的實施例的再一方面，還提出了一種形成溫補層結構的方法，所述溫補層結構包括溫補層，設置在溫補層下方的下種子層和覆蓋在溫補層上方的上種子層，所述方法包括步驟：

在一層諧振器材料上依次設置下種子層以及溫補層；

圖形化溫補層以及下種子層，使得溫補層的端部的上側為斜面以使得溫補層的端部為楔形端面且第一種子層的端部至少與溫補層的端部齊平，溫補層的端部的上側與溫補層的底側之間形成的角度小于60°；

在圖形化的溫補層和下種子層上覆蓋上種子層，使得上種子層的至少一端延伸到溫補層的外側而具有延伸部；

圖形化上種子層，以使得上種子層的延伸部的延伸長度為預定長度。

根據本發明的實施例的還一方面，提出了一種體聲波諧振器，包括：

聲學鏡；

底電極；

頂電極；和

壓電層，

其中：