[發明專利]薄膜晶體管、陣列基板以及液晶顯示面板

在審

• 申請號: 201911424679.6
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111180523A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 磨光陽;蔣雷;謝超;任磊
• 申請（專利權）人: 成都中電熊貓顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 李小波;臧建明

1.一種薄膜晶體管，包括：源極金屬層、漏極金屬層以及IGZ0層，所述源極金屬層和所述漏極金屬層之間形成有溝道區域，其特征在于，所述IGZ0層包括第一端面和第二端面，至少部分所述源極金屬層、漏極金屬層連接于所述第一端面，所述溝道區域內設有金屬膜層，所述金屬膜層覆蓋所述第一端面的至少一部分，所述IGZ0層上開設有凹槽，所述凹槽貫穿所述IGZO層的第一端面和第二端面，且所述凹槽的兩端分別連接于所述源極金屬層和所述漏極金屬層，所述凹槽用于分隔所述IGZO層。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管,其特征在于，所述凹槽的數量為至少一個，所述凹槽沿著所述IGZO層的長度方向延伸，所述IGZO層被所述凹槽均分形成至少兩個條形IGZO。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管,其特征在于，所述至少兩個條形IGZO同時連接于所述金屬膜層。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管,其特征在于，所述IGZO層在所述IGZO層的寬度方向上被所述金屬膜層完全覆蓋。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管,其特征在于，所述金屬膜層與所述源極金屬層之間的距離等于所述金屬膜層和所述漏極金屬層之間的距離。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管,其特征在于，所述金屬膜層的數量為至少一個。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管,其特征在于，所述金屬膜層的寬度不小于3μm；

和/或，所述金屬膜層和所述源極金屬層之間的距離不小于2.5μm；

和/或，所述金屬膜層和所述漏極金屬層之間的距離不小于2.5μm。

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管,其特征在于，所述金屬膜層和所述源極金屬層、漏極金屬層在同一制程中形成。

9.一種陣列基板，其特征在于，包括如權利要求1-8任一項所述的薄膜晶體管。

10.一種液晶顯示面板，其特征在于，包括如權利要求9所述的陣列基板。