[發(fā)明專利]薄膜晶體管、陣列基板以及液晶顯示面板

在審

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• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111180523A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 磨光陽;蔣雷;謝超;任磊
• 申請（專利權(quán)）人: 成都中電熊貓顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 李小波;臧建明

本發(fā)明提供一種薄膜晶體管、陣列基板以及液晶顯示面板，其中，一種薄膜晶體管包括：源極金屬層、漏極金屬層以及IGZ0層，所述源極金屬層和所述漏極金屬層之間形成有溝道區(qū)域，所述IGZ0層包括第一端面和第二端面，至少部分所述源極金屬層、漏極金屬層連接于所述第一端面，所述溝道區(qū)域內(nèi)設(shè)有金屬膜層，所述金屬膜層覆蓋所述第一端面的至少一部分，所述IGZ0層上開設(shè)有凹槽，所述凹槽貫穿所述IGZO層的第一端面和第二端面，且所述凹槽的兩端分別連接于所述源極金屬層和所述漏極金屬層，所述凹槽用于分隔所述IGZO層。本發(fā)明提供一種薄膜晶體管、陣列基板以及液晶顯示面板，具有電路不易發(fā)生短接，使用壽命長的優(yōu)點。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管、陣列基板以及液晶顯示面板。

背景技術(shù)

TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)因其具有比較高的對比度，反應(yīng)速度快，視角較廣等特點而被廣泛的使用。對于薄膜晶體管在其制造過程中更容易發(fā)生ESD(Electro Static Discharge，靜電損傷)。

一直以來在薄膜晶體管行業(yè)里，對ESD進行了大量的研究。一種通用的ESD放電回路通過兩個相同的TFT對接，當(dāng)薄膜晶體管一端(數(shù)據(jù)電極)引入高電壓時，由于TFT門極(掃描電極)與數(shù)據(jù)電極連接，因此門極同樣引入高電壓，TFT開啟，形成通路，高電壓通過ESD釋放到相鄰數(shù)據(jù)線中，最終會通過公共電極(地信號)傳遞到整個薄膜晶體管的有源區(qū)部分來分擔(dān)這部分電壓，形成全器件的等電位效應(yīng)，也就是說，這個時候產(chǎn)生的大電流不會集中到一條數(shù)據(jù)線上，造成TFT管的損壞。

現(xiàn)有技術(shù)中，常使用IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，氧化銦鎵鋅)作為有源層，由于TFT的溝道長度(Channel Length)較大，IGZ0裸露表面積較大，阻抗較大，瞬間的大電流形成一個發(fā)熱電阻而導(dǎo)致IGZO燒蝕從而引起IGZO半導(dǎo)體特性惡化形成導(dǎo)體，最終導(dǎo)致IGZO形成導(dǎo)體引起電路短接，靜電回路失效。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管、陣列基板以及液晶顯示面板，用以至少部分解決溝道長度大而引起的電路短接，靜電回路失效的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案：

本發(fā)明實施例的一個方面提供一種薄膜晶體管，包括：源極金屬層、漏極金屬層以及IGZ0層，所述源極金屬層和所述漏極金屬層之間形成有溝道區(qū)域，所述IGZ0層包括第一端面和第二端面，至少部分所述源極金屬層、漏極金屬層連接于所述第一端面，所述溝道區(qū)域內(nèi)設(shè)有金屬膜層，所述金屬膜層覆蓋所述第一端面的至少一部分，所述IGZ0層上開設(shè)有凹槽，所述凹槽貫穿所述IGZO層的第一端面和第二端面，且所述凹槽的兩端分別連接于所述源極金屬層和所述漏極金屬層，所述凹槽用于分隔所述IGZO層。

在其中一種可能的實現(xiàn)方式中，所述凹槽的數(shù)量為至少一個，所述凹槽沿著所述IGZO層的長度方向延伸，所述IGZO層被所述凹槽均分形成至少兩個條形IGZO。

在其中一種可能的實現(xiàn)方式中，所述至少兩個條形IGZO同時連接于所述金屬膜層。

在其中一種可能的實現(xiàn)方式中，所述IGZO層在所述IGZO層的寬度方向上被所述金屬膜層完全覆蓋。

在其中一種可能的實現(xiàn)方式中，所述金屬膜層與所述源極金屬層之間的距離等于所述金屬膜層和所述漏極金屬層之間的距離。

在其中一種可能的實現(xiàn)方式中，所述金屬膜層的數(shù)量為至少一個。

在其中一種可能的實現(xiàn)方式中，所述金屬膜層的寬度不小于3μm；

和/或，所述金屬膜層和所述源極金屬層之間的距離不小于2.5μm；

和/或，所述金屬膜層和所述漏極金屬層之間的距離不小于2.5μm。