[發(fā)明專利]激光裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911423900.6 | 申請日: | 2019-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN113131339A | 公開(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊毅 | 申請(專利權(quán))人: | 上海藍湖照明科技有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/32 | 分類號: | H01S5/32;H01S5/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 261000 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 激光 裝置 | ||
本發(fā)明激光裝置,包括邊發(fā)射半導體激光芯片,邊發(fā)射半導體激光芯片包括長條形發(fā)光區(qū),發(fā)光區(qū)平行結(jié)平面方向為慢軸,垂直結(jié)平面方向為快軸,快軸的發(fā)光角度大于慢軸,快軸的發(fā)光半角為A,還包括導光棒,導光棒設(shè)置在邊發(fā)射半導體激光芯片發(fā)光區(qū)一側(cè),導光棒一個端面與發(fā)光區(qū)相面對,該端面用于接收發(fā)光區(qū)發(fā)出的激光,導光棒的數(shù)值孔徑Na滿足條件Na>sin(A),激光進入導光棒后在其內(nèi)部反射并傳播;該發(fā)明的導光棒一端收集邊發(fā)射半導體激光芯片發(fā)出的激光,收集進入導光棒的激光經(jīng)過數(shù)次反射和角度扭轉(zhuǎn)后,從導光棒另一端出射,出射的激光得到理想的圓周對稱的面分部。該激光裝置體積小、加工制造成本低,安裝過程中調(diào)試、校對簡單,便于推廣和應(yīng)用。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及激光裝置技術(shù)領(lǐng)域。具體地說,是涉及將邊發(fā)射半導體激光芯片發(fā)射的發(fā)散激光收集后出射的裝置。
背景技術(shù)
隨著激光照明技術(shù)的發(fā)展,激光裝置的需求及應(yīng)用越來越廣泛。邊發(fā)射半導體激光芯片發(fā)射的激光平行結(jié)平面為慢軸,垂直結(jié)平面為快軸,快軸的發(fā)光角度大于慢軸。快軸和慢軸發(fā)光角度的不同,導致邊發(fā)射半導體激光芯片發(fā)出的激光光束為發(fā)散的長條形光束,這使得邊發(fā)射半導體激光芯片在激光裝置的應(yīng)用率不高,尤其是在照明領(lǐng)域中激光裝置必須對快軸和慢軸的角分布進行調(diào)整。
現(xiàn)有的激光裝置調(diào)整上述角分布所采用的技術(shù)普遍結(jié)構(gòu)復雜、體積大、成品率低、推廣應(yīng)用困難。如專利公開號CN104991347A公開了一種基于微透鏡陣列的激光整形照明器,其包括了準直系統(tǒng)、微透鏡陣列組及擴束系統(tǒng),該專利需要準直系統(tǒng)、微透鏡陣列組及擴束系統(tǒng)相配合,該專利的結(jié)構(gòu)復雜、裝配過程中校準困難、而且體積大、推廣應(yīng)用難度高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述傳統(tǒng)技術(shù)的不足之處,針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,發(fā)明一種具有調(diào)整邊發(fā)射半導體激光芯片所發(fā)射的激光光束快軸和慢軸角分布功能的激光裝置。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)措施來達到的:激光裝置,包括邊發(fā)射半導體激光芯片,所述邊發(fā)射半導體激光芯片包括長條形發(fā)光區(qū),發(fā)光區(qū)平行結(jié)平面方向為慢軸,垂直結(jié)平面方向為快軸,快軸的發(fā)光角度大于慢軸,所述快軸的發(fā)光半角為A,還包括導光棒,所述導光棒設(shè)置在邊發(fā)射半導體激光芯片發(fā)光區(qū)一側(cè),所述導光棒一個端面與發(fā)光區(qū)相面對,該端面用于接收發(fā)光區(qū)發(fā)出的激光,所述導光棒的數(shù)值孔徑Na滿足條件Na>sin(A),激光進入導光棒后在其內(nèi)部反射并傳播;
所述發(fā)光區(qū)的長度為L,導光棒為端面直徑為D的圓形或長軸長度為D的橢圓形,導光棒的長度為T,其中,LD≤5L,T≥3nD,其中n是導光棒的折射率。
作為上述技術(shù)方案的一種改進:所述導光棒長度滿足D≤2L。
作為上述技術(shù)方案的一種改進:所述導光棒與發(fā)光區(qū)相面對的端面與發(fā)光區(qū)之間的距離為S,所述S<(D/2)/tan(A)。
由于采用了上述技術(shù)方案,與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)點是:該發(fā)明的導光棒一端收集邊發(fā)射半導體激光芯片發(fā)出的激光,收集進入導光棒的激光經(jīng)過數(shù)次反射和角度扭轉(zhuǎn)后,從導光棒另一端出射,出射的激光得到理想的圓周對稱的面分部。該激光裝置體積小、加工制造成本低,安裝過程中調(diào)試、校對簡單,便于推廣和應(yīng)用。
下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步說明。
附圖說明
附圖1是激光裝置的一種實施方式的主視圖。
附圖2是導光棒長度與扭轉(zhuǎn)關(guān)系圖。
附圖3是導光棒內(nèi)反射角a和導光棒與發(fā)光區(qū)距離T的示意圖。
附圖4是激光裝置的另一種實施方式的剖視圖。
附圖5是激光裝置的另一種實施方式的剖視圖。
附圖6是圖5的俯視圖。
附圖7是導光棒定位座與邊發(fā)射半導體激光芯片、導光棒的結(jié)構(gòu)示意圖。
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