[發(fā)明專利]聲波器件的制作方法及聲波器件

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911423109.5
• 申請(qǐng)日: 2019-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN111030627A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃韋勝;廖珮涥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢衍熙微器件有限公司
• 主分類號(hào): H03H3/007
• 分類號(hào): H03H3/007;H03H3/02;H03H3/04;H03H3/10;H03H9/205;H03H9/25
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 崔曉嵐;張穎玲

本公開實(shí)施例公開了一種聲波器件的制作方法及聲波器件，所述方法包括：鍵合第一襯底和第二襯底，形成鍵合襯底；在所述鍵合襯底的第一表面形成第一諧振結(jié)構(gòu)；在所述鍵合襯底的第二表面形成第二諧振結(jié)構(gòu)；其中，所述第二表面與所述第一表面為相反面。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開實(shí)施例涉及聲波器件領(lǐng)域，特別涉及一種聲波器件的制作方法及聲 波器件。

背景技術(shù)

在廣泛使用的諸如移動(dòng)電話的通信設(shè)備中，通常包括使用聲波的聲波器件 作為通訊設(shè)備的濾波器。作為聲波器件的示例，存在使用表面聲波(Surface Acoustic Wave，SAW)的器件、或者使用體聲波(Bulk Acoustic Wave，BAW) 的器件等。聲波器件的性能會(huì)影響通信設(shè)備的通信效果。

隨著通訊技術(shù)的發(fā)展，如何在順應(yīng)通信設(shè)備集成化和小型化發(fā)展趨勢(shì)的同 時(shí)，提高聲波器件的性能成為亟待解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本公開實(shí)施例提供一種聲波器件的制作方法及聲波器件。

根據(jù)本公開實(shí)施例的第一方面，提供一種聲波器件的制作方法，包括：

鍵合第一襯底和第二襯底，形成鍵合襯底；

在所述鍵合襯底的第一表面形成第一諧振結(jié)構(gòu)；

在所述鍵合襯底的第二表面形成第二諧振結(jié)構(gòu)；

其中，所述第二表面與所述第一表面為相反面。

可選地，所述方法還包括：

形成所述第一諧振結(jié)構(gòu)和所述第二諧振結(jié)構(gòu)的連接結(jié)構(gòu)。

可選地，所述形成所述第一諧振結(jié)構(gòu)和所述第二諧振結(jié)構(gòu)的連接結(jié)構(gòu)，包 括：

在形成所述第一諧振結(jié)構(gòu)之后，從所述第二表面形成貫穿所述鍵合襯底的 第一通孔；

在所述第一通孔中形成貫穿所述鍵合襯底的導(dǎo)電柱；其中，所述第二諧振 結(jié)構(gòu)通過(guò)所述導(dǎo)電柱與所述第一諧振結(jié)構(gòu)連接。

可選地，所述第一襯底包括：第一壓電層；

所述在所述鍵合襯底的第一表面形成第一諧振結(jié)構(gòu)，包括：

在所述第一壓電層表面形成叉指電極以形成所述第一諧振結(jié)構(gòu)。

可選地，所述在所述鍵合襯底的第二表面形成第二諧振結(jié)構(gòu)，包括：

在所述第二表面依次形成所述第二諧振結(jié)構(gòu)的反射結(jié)構(gòu)、覆蓋所述反射結(jié) 構(gòu)的第一電極層、第二壓電層和第二電極層。

可選地，所述在所述第二表面依次形成所述第二諧振結(jié)構(gòu)的反射結(jié)構(gòu)、覆 蓋所述反射結(jié)構(gòu)的第一電極層、第二壓電層和第二電極層，包括：

在所述第二表面形成交替層疊設(shè)置的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，以形成所 述反射結(jié)構(gòu)；其中，所述第一介質(zhì)層的聲阻抗和所述第二介質(zhì)層的聲阻抗不同；

形成覆蓋所述交替層疊設(shè)置的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的所述第一電極層；

形成覆蓋所述第一電極層的所述第二壓電層；

形成覆蓋所述第二壓電層的第二電極層。

可選地，所述在所述第二表面依次形成所述第二諧振結(jié)構(gòu)的反射結(jié)構(gòu)、覆 蓋所述反射結(jié)構(gòu)的第一電極層、第二壓電層和第二電極層，包括：

在所述第二表面形成第一犧牲層；

形成覆蓋所述第一犧牲層的所述第一電極層；

形成覆蓋所述第一電極層的所述第二壓電層；

形成覆蓋所述第二壓電層的所述第二電極層；