[發明專利]聲波器件的制作方法及聲波器件

在審

• 申請號: 201911423109.5
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111030627A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 黃韋勝;廖珮涥
• 申請（專利權）人: 武漢衍熙微器件有限公司
• 主分類號: H03H3/007
• 分類號: H03H3/007;H03H3/02;H03H3/04;H03H3/10;H03H9/205;H03H9/25
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 崔曉嵐;張穎玲

1.一種聲波器件的制作方法，其特征在于，包括：

鍵合第一襯底和第二襯底，形成鍵合襯底；

在所述鍵合襯底的第一表面形成第一諧振結構；

在所述鍵合襯底的第二表面形成第二諧振結構；

其中，所述第二表面與所述第一表面為相反面。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

形成所述第一諧振結構和所述第二諧振結構的連接結構。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成所述第一諧振結構和所述第二諧振結構的連接結構，包括：

在形成所述第一諧振結構之后，從所述第二表面形成貫穿所述鍵合襯底的第一通孔；

在所述第一通孔中形成貫穿所述鍵合襯底的導電柱；其中，所述第二諧振結構通過所述導電柱與所述第一諧振結構連接。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一襯底包括：第一壓電層；

所述在所述鍵合襯底的第一表面形成第一諧振結構，包括：

在所述第一壓電層表面形成叉指電極以形成所述第一諧振結構。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述鍵合襯底的第二表面形成第二諧振結構，包括：

在所述第二表面依次形成所述第二諧振結構的反射結構、覆蓋所述反射結構的第一電極層、第二壓電層和第二電極層。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述第二表面依次形成所述第二諧振結構的反射結構、覆蓋所述反射結構的第一電極層、第二壓電層和第二電極層，包括：

在所述第二表面形成交替層疊設置的第一介質層和第二介質層，以形成所述反射結構；其中，所述第一介質層的聲阻抗和所述第二介質層的聲阻抗不同；

形成覆蓋所述交替層疊設置的第一介質層和第二介質層的所述第一電極層；

形成覆蓋所述第一電極層的所述第二壓電層；

形成覆蓋所述第二壓電層的第二電極層。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述第二表面依次形成所述第二諧振結構的反射結構、覆蓋所述反射結構的第一電極層、第二壓電層和第二電極層，包括：

在所述第二表面形成第一犧牲層；

形成覆蓋所述第一犧牲層的所述第一電極層；

形成覆蓋所述第一電極層的所述第二壓電層；

形成覆蓋所述第二壓電層的所述第二電極層；

去除所述第一犧牲層，基于所述第一犧牲層的形貌在所述第一電極層和所述第二表面之間形成第一空腔，以形成所述反射結構。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述第二表面依次形成所述第二諧振結構的反射結構、覆蓋所述反射結構的第一電極層、第二壓電層和第二電極層，包括：

刻蝕所述第二表面，以在所述第二表面形成凹槽；

形成填充所述凹槽的第二犧牲層；

形成覆蓋所述第二犧牲層的所述第一電極層；

形成覆蓋所述第一電極層的所述第二壓電層；

形成覆蓋所述第二壓電層的所述第二電極層；

去除所述第二犧牲層，基于所述第二犧牲層的形貌在所述第一電極層和所述第二表面之間形成第二空腔，以形成所述反射結構。

9.根據權利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述在所述鍵合襯底的第二表面形成第二諧振結構，還包括：

形成覆蓋所述反射結構、所述第一電極層、所述第二壓電層和所述第二電極層的重疊區域的保護結構；其中，所述保護結構的中間區域與所述第二電極層之間存在空隙，所述保護結構的邊緣區域與所述第二電極層接觸。