[發(fā)明專利]粗糙化的基板支撐件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911423044.4
• 申請日: 2013-07-12
• 公開（公告）號: CN111485226A
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: D·李;W·N·斯特林;樸范洙;崔壽永
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;H01L21/687;B24C1/00;B24C1/06
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

本發(fā)明一般是有關(guān)于一種用于在一基板處理腔體中使用的基板支撐件。一粗糙化的基板支撐件減少在腔體內(nèi)的電弧且亦提供均勻沉積于基板上。粗糙化可以兩個步驟執(zhí)行。于一第一步驟中，基板支撐件是進(jìn)行噴珠以初步地粗糙化表面。接著，粗糙化的表面是以較細(xì)的磨粒進(jìn)行噴珠，以產(chǎn)生一具有介于約707微英寸及約837微英寸間的表面粗糙度的基板支撐件。在表面粗糙化之后，基板支撐件進(jìn)行陽極處理。

本申請是申請日為2013年7月12日、申請?zhí)枮?01380037798.0、發(fā)明名稱為“粗糙化的基板支撐件”的發(fā)明專利申請的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施例一般是有關(guān)于一種用于在一基板處理腔體中使用的基板支撐件。

背景技術(shù)

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)一般是用于沉積薄膜于一基板上，例如是平板或是半導(dǎo)體晶圓。PECVD通常是通過導(dǎo)入一前驅(qū)氣體(precursor gas)至包含一基板的一真空腔體內(nèi)來完成。前驅(qū)氣體一般是導(dǎo)引通過一分布板，此分布板靠近腔體的頂部。在腔體內(nèi)的前驅(qū)氣體通過從一或多個射頻(RF)源提供RF電力至腔體來提供能量(例如是激發(fā)(excited))而成為等離子體，RF源耦接于腔體。激發(fā)氣體反應(yīng)而形成一材料層于基板的一表面上，所述基板擺置于一溫度控制基板支撐件上。

在處理期間，可能對裝置的制造造成不利的小部分的膜厚變化已觀察出來，所述小部分的膜厚變化時常以成為較薄的膜厚的點(diǎn)(spots)的方式顯現(xiàn)。一般認(rèn)為，沿著一平滑基板支撐表面，在玻璃的厚度及平坦度的變化是在跨基板的特定位置產(chǎn)生局部電容變化，因而產(chǎn)生了局部的等離子體不均勻性，所述離子體不均勻性導(dǎo)致沉積變化，例如是薄點(diǎn)。

因此，對基板支撐件做改善是有需要的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明一般是有關(guān)于一種用于在一基板處理腔體中使用的基板支撐件。一粗糙化的基板支撐件是減少在腔體內(nèi)的電弧且亦提供均勻沉積于基板上。粗糙化可以兩個步驟執(zhí)行。于一第一步驟中，基板支撐件進(jìn)行噴珠以初步地粗糙化表面。接著，粗糙化的表面以較細(xì)的磨粒進(jìn)行噴珠，以產(chǎn)生一具有介于約707微英寸及約837微英寸間的表面粗糙度的基板支撐件。在表面粗糙化之后，基板支撐件進(jìn)行陽極處理。

于一個實(shí)施例中，一種形成一粗糙化的基板支撐件的方法，包括于一第一工藝中對一基板支撐件的一表面進(jìn)行噴珠，其中此些珠體具有一第一磨粒(grit)尺寸；以及于一第二工藝中對基板支撐件的表面進(jìn)行噴珠，其中此些珠體具有一第二磨粒尺寸，所述第二磨粒尺寸小于第一磨粒尺寸。

于另一實(shí)施例中，一種形成一粗糙化的基板支撐件的方法，包括于一第一工藝中對一基板支撐件的一表面進(jìn)行噴珠。第一工藝包括于一第一方向中使噴嘴掃描過基板支撐件的表面；沿著基板支撐件的表面轉(zhuǎn)換噴嘴于一第二方向中，第二方向垂直于第一方向；以及于一第三方向中使噴嘴掃描過基板支撐件的表面，第三方向相反于第一方向。此方法更包括于一第二工藝中對基板支撐件的表面進(jìn)行噴珠。第二工藝包括于第一方向中使噴嘴第一次掃描過基板支撐件的表面；沿著基板支撐件的表面轉(zhuǎn)換噴嘴于第二方向中；于第三方向中使噴嘴第二次掃描過基板支撐件的表面；逆時針轉(zhuǎn)動基板支撐件約90度；以及重復(fù)第一次掃描、轉(zhuǎn)換、第二次掃描及轉(zhuǎn)動。

于另一實(shí)施例中，一種基板支撐件包括一基板支撐件主體，具有一表面粗糙度，此表面粗糙度介于約707微英寸及約834微英寸之間；以及一陽極處理涂布層，位于基板支撐件上。

附圖說明

為了可詳細(xì)地了解本發(fā)明上述的特性，簡要摘錄于上的本發(fā)明的更特有的說明可參照實(shí)施例。一些實(shí)施例是繪示于所附的附圖中。然而，值得注意的是，由于本發(fā)明可承認(rèn)其他等效實(shí)施例，所附的附圖僅為本發(fā)明的代表性實(shí)施例，因此并非用以限制本發(fā)明的范圍。

圖1繪示根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的PECVD設(shè)備的剖面圖。