[發(fā)明專利]發(fā)光器件及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911421723.8
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN112331700B
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳穎;付東
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 秦冉冉

本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件及其制作方法，該發(fā)光器件包括基板、像素界定層、源極層以及阻隔層，基板包括襯底、柵極層以及絕緣層，所述柵極層設(shè)置在所述襯底上，所述絕緣層設(shè)置在所述柵極層上；像素界定層設(shè)置在所述基板上，所述像素界定層具有露出所述絕緣層的像素坑，源極層設(shè)置在所述像素坑內(nèi)，并且覆蓋所述像素坑的底部，阻隔層設(shè)置在所述像素坑內(nèi)，并且覆蓋所述像素坑的至少部分內(nèi)側(cè)壁。上述發(fā)光器件及其制作方法，在源極層形成之后，通過阻隔層覆蓋所述像素坑的至少部分內(nèi)側(cè)壁，將源極層在像素界定層上的邊緣堆積部分與后續(xù)形成的膜層分隔開，防止串?dāng)_電流的問題，避免源極層與漏極層電連接而造成短路。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種發(fā)光器件及其制作方法。

背景技術(shù)

隨著有機發(fā)光顯示(OLED)技術(shù)的不斷發(fā)展，顯示器市場呈現(xiàn)應(yīng)用越來越多樣化的發(fā)展趨勢，比如柔性顯示、透明顯示等等。針對這些新型應(yīng)用，目前已有的驅(qū)動技術(shù)主要是基于多晶硅或者氧化物薄膜晶體管技術(shù)。

相比傳統(tǒng)的薄膜晶體管(TFT)，垂直溝道薄膜晶體管(VTFT)技術(shù)具有一定優(yōu)勢：1.溝道長度等于或著小于器件厚度，往往小于1微米，因此容易提供較大的電流；2.TFT與發(fā)光器件垂直重疊，不再額外占用面板空間，容易實現(xiàn)較高的開口率，尤其如果使用透明度高的電極，將有利于實現(xiàn)透明顯示；3.由于采用了縱向疊層結(jié)構(gòu)，關(guān)鍵的溝道長度等參數(shù)在反復(fù)彎折的柔性顯示使用環(huán)境下將具有較高的穩(wěn)定性，更適用于柔性顯示；4.由于此技術(shù)核心步驟可用打印的方式實現(xiàn)，十分適合印刷顯示技術(shù)，且大面積制作過程中主要受打印均勻度控制，不再受其他比如加熱結(jié)晶等敏感的因素控制，從而有利于實現(xiàn)大面積面板制作性能均勻的TFT陣列。

與傳統(tǒng)TFT中源極、漏極水平布置不同，VTFT結(jié)構(gòu)中柵極、源極和漏極三個電極為垂直分布，因此必須在保證電路順利接線的同時避免發(fā)生上下短路。如圖1所示，實際打印過程中，墨水在堤岸結(jié)構(gòu)內(nèi)干燥成膜，由于受到墨水與堤岸材料親液性的作用，會在堤岸邊緣形成邊緣堆積。而多層結(jié)構(gòu)中，由于這種堆積很難控制，因此往往在邊緣形成較為薄的膜層，如圖1中圓圈所示。目前的OLED打印均為有機材料為主，導(dǎo)電率較低，邊緣堆積雖然會導(dǎo)致像素邊緣厚度不均從而發(fā)光不均，但亦可接受。而在VTFT技術(shù)中，如果直接采用同個堤岸像素坑內(nèi)疊層打印源極、溝道層以及漏極，極易造成邊緣處電流串?dāng)_，甚至可能由于源極與漏極電連接而造成短路。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種發(fā)光器件及其制作方法，以解決VTFT驅(qū)動發(fā)光器件像素坑邊緣處電流串?dāng)_甚至短路的問題。

一種發(fā)光器件，包括：

基板，包括襯底、柵極層以及絕緣層，所述柵極層設(shè)置在所述襯底上，所述絕緣層設(shè)置在所述柵極層上；

像素界定層，設(shè)置在所述基板上，所述像素界定層具有露出所述絕緣層的像素坑；

源極層，設(shè)置在所述像素坑內(nèi)，并且覆蓋所述像素坑的底部；以及

阻隔層，設(shè)置在所述像素坑內(nèi)，并且覆蓋所述像素坑的至少部分內(nèi)側(cè)壁。

在其中一個實施例中，所述基板還包括源極接線，所述源極接線露出于所述像素坑的底部邊緣，所述源極層與所述源極接線露出的部分連接，所述阻隔層至少覆蓋所述源極接線以及該邊緣位置對應(yīng)的像素界定層的內(nèi)側(cè)壁。

在其中一個實施例中，所述基板還包括平坦層，所述平坦層設(shè)置在襯底上且包覆所述柵極層、所述絕緣層以及所述源極接線，所述平坦層的一側(cè)與所述絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)齊平，所述平坦層的該側(cè)設(shè)有露出所述源極接線的連接槽，所述源極層從所述絕緣層上延伸至所述連接槽的內(nèi)壁并覆蓋所述源極接線露出的部分，所述連接槽內(nèi)覆蓋所述源極層后形成沉積槽，所述阻隔層填充所述沉積槽并延伸至所述像素界定層的內(nèi)側(cè)壁上。

在其中一個實施例中，所述發(fā)光器件還包括溝道層，所述溝道層設(shè)置在所述源極層上。