[發明專利]發光器件及其制作方法

有效

• 申請號: 201911421723.8
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN112331700B
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發明（設計）人: 陳穎;付東
• 申請（專利權）人: 廣東聚華印刷顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 秦冉冉

1.一種發光器件，其特征在于，包括：

基板，包括襯底、柵極層以及絕緣層，所述柵極層設置在所述襯底上，所述絕緣層設置在所述柵極層上；

像素界定層，設置在所述基板上，所述像素界定層具有露出所述絕緣層的像素坑；

源極層，設置在所述像素坑內，并且覆蓋所述像素坑的底部；以及

阻隔層，設置在所述像素坑內，并且覆蓋所述像素坑的至少部分內側壁；

溝道層，所述溝道層設置在所述源極層上；

發光功能層，所述發光功能層設置在所述溝道層上；

漏極層，所述漏極層整體覆蓋于所述像素界定層、所述阻隔層以及所述發光功能層上，所述基板還包括漏極接線，所述漏極層經由所述像素界定層中的過孔連接于所述漏極接線。

2.如權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述基板還包括源極接線，所述源極接線露出于所述像素坑的底部邊緣，所述源極層與所述源極接線露出的部分連接，所述阻隔層至少覆蓋所述源極接線以及該邊緣位置對應的像素界定層的內側壁。

3.如權利要求2所述的發光器件，其特征在于，所述基板還包括平坦層，所述平坦層設置在襯底上且包覆所述柵極層、所述絕緣層以及所述源極接線，所述平坦層的一側與所述絕緣層遠離所述襯底的一側齊平，所述平坦層的該側設有露出所述源極接線的連接槽，所述源極層從所述絕緣層上延伸至所述連接槽的內壁并覆蓋所述源極接線露出的部分，所述連接槽內覆蓋所述源極層后形成沉積槽，所述阻隔層填充所述沉積槽并延伸至所述像素界定層的內側壁上。

4.如權利要求1～3任一項所述的發光器件，其特征在于，所述源極層厚度范圍為0.5-20納米。

5.如權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述溝道層的厚度范圍為1-1000納米。

6.如權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述溝道層的材料為有機半導體材料。

7.如權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述漏極層的厚度范圍為1納米-10微米。

8.一種發光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

獲取或制作設置有像素界定層的基板，所述基板包括襯底、柵極層以及絕緣層，所述柵極層設置在所述襯底上，所述絕緣層設置在所述柵極層上，所述像素界定層具有露出所述絕緣層的像素坑；

在所述像素坑內制作源極層，使所述源極層覆蓋所述像素坑的底部；

在所述像素坑內制作阻隔層，使所述阻隔層覆蓋所述像素坑的至少部分內側壁；

在所述源極層上制作溝道層；

在所述溝道層上制作發光功能層；

制作漏極層，所述漏極層整體覆蓋于所述像素界定層、所述阻隔層以及所述發光功能層上，所述基板還包括漏極接線，所述漏極層經由所述像素界定層中的過孔連接于所述漏極接線。

9.如權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述源極層通過溶液法制作。

10.如權利要求8或9所述的制作方法，其特征在于，所述基板還包括源極接線，所述源極接線露出所述像素坑的底部邊緣，制作所述源極層時使所述源極層與所述源極接線露出的部分連接，制作所述阻隔層時使所述阻隔層至少覆蓋所述源極接線以及該邊緣位置對應的像素界定層的內側壁。

11.如權利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述基板還包括平坦層，所述平坦層設置在襯底上且包覆所述柵極層、所述絕緣層以及所述源極接線，所述平坦層的一側與所述絕緣層遠離所述襯底的一側齊平，所述平坦層的該側制作露出所述源極接線的連接槽，使所述源極層從所述絕緣層上延伸至所述連接槽的內壁并覆蓋所述源極接線露出的部分，所述連接槽內覆蓋所述源極層后形成沉積槽，使所述阻隔層填充所述沉積槽并延伸至所述像素界定層的內側壁上。