[發明專利]顯示器件及其封裝方法

有效

• 申請號: 201911421487.X
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN112331797B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 李松舉;宋晶堯;付東
• 申請（專利權）人: 廣東聚華印刷顯示技術有限公司
• 主分類號: H10K50/844
• 分類號: H10K50/844;H10K59/12
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 杜寒宇

1.一種顯示器件的封裝方法，所述顯示器件包括基板以及設置在所述基板上的像素結構，所述像素結構包括多個子像素，其特征在于，所述基板包括襯底、TFT驅動陣列以及鈍化層，所述TFT驅動陣列設置在所述襯底上，所述鈍化層覆蓋在所述TFT驅動陣列上，所述子像素設置在所述鈍化層上；

所述封裝方法包括以下步驟：

在相鄰的所述子像素之間的所述鈍化層上制作疏水層；

在所述像素結構上制作多個第一封裝層，使多個所述第一封裝層分別封裝一個或多個所述子像素，且相鄰的所述第一封裝層之間相互獨立，所述第一封裝層為硬質封裝層；制作多個所述第一封裝層是通過原子層沉積工藝整面沉積封裝材料，由于所述疏水層的存在，封裝材料在沒有所述疏水層的區域沉積，從而形成多個相互獨立的第一封裝層；所述鈍化層的材料采用氧化硅，所述第一封裝層的材料采用氧化鋁，所述鈍化層和所述第一封裝層結合形成Al-Si-O鍵，以配合將相應的所述子像素包裹在其中；

采用分子層沉積工藝在所述第一封裝層上形成多個第二封裝層，所述第二封裝層與所述第一封裝層一一對應，所述第二封裝層為軟質封裝層；

采用原子層沉積工藝在所述第二封裝層上形成多個第三封裝層，所述第三封裝層與所述第二封裝層一一對應，所述第三封裝層為硬質封裝層。

2.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述疏水層的材料為ODTS、ODT、ODPA、DTS、ODS、十二烷基醇、十八烯、PMMA或PVP。

3.如權利要求2所述的封裝方法，其特征在于，所述疏水層的材料為ODTS。

4.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，隨靠近所述基板，相鄰的所述第一封裝層之間的距離逐漸減小。

5.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述第三封裝層的材料選自氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁和二氧化鈦中的至少一種，所述第二封裝層的材料選自氮氧化硅、碳氧化硅、聚二甲基硅氧烷、聚對二甲苯、聚丙烯、聚苯乙烯和聚酰亞胺中的至少一種。

6.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述第一封裝層的厚度為2nm～500nm，所述第二封裝層的厚度為0.5μm～20μm，所述第三封裝層的厚度為200nm～5000nm。