[發明專利]一種深紫外發光二極管的封裝結構及封裝方法

在審

• 申請號: 201911420653.4
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111029457A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 張麗;劉亞柱;齊勝利;吳化勝
• 申請（專利權）人: 合肥彩虹藍光科技有限公司
• 主分類號: H01L33/56
• 分類號: H01L33/56;H01L33/54
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 王華英

本發明提供一種深紫外發光二極管的封裝結構及封裝方法，涉及芯片制造領域。所述半導體結構包括：芯片；支架，其上固定有所述芯片，所述支架與所述芯片電連接；硅氧化物保護層，其設置于所述芯片上，所述硅氧化物保護層包裹所述芯片及所述支架。本發明可解決封裝材料在紫光照射下容易老化與黃化等問題。

技術領域

本發明屬于芯片制造領域，特別是涉及一種深紫外發光二極管的封裝結構及封裝方法。

背景技術

芯片封裝是芯片生成完成后不可缺少的一道工序，其目的是保護芯片免受外來環境影響和后續封裝工藝的損害。但是，對于深紫外發光二極管，由于深紫外線的波長短，能量強，輻射大，芯片封裝的封裝膠等有機聚合物在其紫光照射下容易出現老化與黃化等材料性能劣化的現象，嚴重影響深紫外發光二極管的出光率及使用壽命等性能。

發明內容

本發明的目的在于提供一種深紫外發光二極管的封裝結構及封裝方法，解決了現有的深紫外發光二極管的封裝材料出現老化與黃化等問題。

為解決上述技術問題，本發明是通過以下技術方案實現的：

本發明提供一種深紫外發光二極管的封裝結構，其包括：

深紫外發光二極管；

支架，其上固定有所述深紫外發光二極管，所述支架與所述深紫外發光二極管電連接；

硅氧化物保護層，其設置于所述深紫外發光二極管上，所述硅氧化物保護層包裹所述深紫外發光二極管及所述支架。

本發明的一個實施例中，所述硅氧化物保護層為二氧化硅層。

本發明的一個實施例中，所述硅氧化物保護層的厚度為80～250nm。

本發明的一個實施例中，所述支架為陶瓷支架。

本發明還提供一種深紫外發光二極管的封裝方法，其步驟包括：

提供一深紫外發光二極管；

將所述深紫外發光二極管固定在支架上，且將所述深紫外發光二極管與所述支架電連接；

在所述深紫外發光二極管和所述支架表面形成硅氧化物保護層，使所述硅氧化物保護層包裹所述深紫外發光二極管及所述支架，完成對所述深紫外發光二極管的封裝。

本發明的一個實施例中，所述硅氧化物保護層為二氧化硅層。

本發明的一個實施例中，所述硅氧化物保護層的厚度為80～250nm。

本發明的一個實施例中，所述硅氧化物保護層采用離子增強型化學氣相淀積的方法形成于所述深紫外發光二極管和所述支架的表面。

本發明的一個實施例中，所述支架為陶瓷支架。

本發明的一個實施例中，所述電連接的方式為回流焊。

本發明的一個實施例中，所述一種深紫外發光二極管的封裝方法，其所述封裝方法的步驟還包括：對所述深紫外發光二極管和所述支架進行烘烤除濕。

本發明通過在所述深紫外發光二極管和所述支架的表面形成硅氧化物保護層，將深紫外發光二極管連同支架一起密封起來，取代傳統芯片封裝工藝中點膠工序的明膠部分，既隔絕了空氣的水分與氧對深紫外發光二極管的侵蝕，又不會出現有機材料在紫光照射下容易黃化等材料性能劣化的現象。相對傳統封裝技術，采用本發明的深紫外發光二極管封裝方法對深紫外線發光二極管進行封裝，提高了深紫外線發光二極管的出光率，延長了深紫外線發光二極管的使用壽命。本發明一實施例獲得了亮度增加1％，壽命測試光衰減少2％的有益效果。此外，本發明的工藝路線簡單，可降低生產成本。

當然，實施本發明的任一產品并不一定需要同時達到以上所述的所有優點。

附圖說明