[發明專利]一種深紫外發光二極管的封裝結構及封裝方法在審
| 申請號： | 201911420653.4 | 申請日： | 2019-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN111029457A | 公開（公告）日： | 2020-04-17 |
| 發明（設計）人： | 張麗;劉亞柱;齊勝利;吳化勝 | 申請（專利權）人： | 合肥彩虹藍光科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/56 | 分類號： | H01L33/56;H01L33/54 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王華英 |
| 地址： | 230011 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 深紫 發光二極管 封裝 結構 方法 | ||
1.一種深紫外發光二極管的封裝結構，其特征在于，其包括：
深紫外發光二極管；
支架，其上固定有所述深紫外發光二極管，所述支架與所述深紫外發光二極管電連接；
硅氧化物保護層，其設置于所述深紫外發光二極管上，所述硅氧化物保護層包裹所述深紫外發光二極管及所述支架。
2.根據權利要求1所述的一種深紫外發光二極管的封裝結構，其特征在于：所述硅氧化物保護層為二氧化硅層。
3.根據權利要求1所述的一種深紫外發光二極管的封裝結構，其特征在于：所述硅氧化物保護層的厚度為80～250nm。
4.一種深紫外發光二極管的封裝方法，其特征在于，其步驟包括：
提供一深紫外發光二極管；
將所述芯片固定在支架上，且將所述芯片與所述支架電連接；
在所述深紫外發光二極管與所述支架上形成硅氧化物保護層，使所述硅氧化物保護層包裹所述深紫外發光二極管及所述支架，完成對所述深紫外發光二極管的封裝。
5.根據權利要求4所述的一種深紫外發光二極管的封裝方法，其特征在于：所述硅氧化物保護層為二氧化硅層。
6.根據權利要求4所述的一種深紫外發光二極管的封裝方法，其特征在于：所述硅氧化物保護層的厚度為80～250nm。
7.根據權利要求4所述的一種深紫外發光二極管的封裝方法，其特征在于：所述硅氧化物保護層采用離子增強型化學氣相淀積的方法形成于所述深紫外發光二極管和所述支架的表面。
8.根據權利要求4所述的一種深紫外發光二極管的封裝方法，其特征在于：所述支架為陶瓷支架。
9.根據權利要求4所述的一種深紫外發光二極管的封裝方法，其特征在于：所述電連接的方式為回流焊。
10.根據權利要求4所述的一種深紫外發光二極管的封裝方法，其特征在于：所述封裝方法的步驟還包括對所述深紫外發光二極管和所述支架進行烘烤除濕。
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