[發明專利]LDMOS器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201911418179.1
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN113130649A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 李佳豪;金華俊
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

1.一種LDMOS器件，其特征在于，包括：

基底；

漂移區，位于所述基底內；

若干個間隔排布的溝槽，位于所述漂移區內；

若干個金屬場板，分別位于各所述溝槽內；

隔離介質層，至少位于所述金屬場板與所述溝槽內壁之間。

2.根據權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述金屬場板的材質為鎢硅化合物。

3.根據權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述金屬場板包括柱狀結構。

4.根據權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述溝槽為淺溝槽。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的LDMOS器件，其特征在于，還包括：

柵極，位于所述漂移區上；

柵氧化層，位于所述柵極與所述漂移區之間；

體區，位于所述漂移區內，所述柵極跨設在所述漂移區和所述體區上方；

源極，位于體區內，且位于所述柵極一側；

漏極，位于所述漂移區內，且位于所述柵極遠離所述源極的一側；

所述溝槽及所述金屬場板位于所述柵極與所述漏極之間，且與所述柵極及所述漏極均具有間距。

6.根據權利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于，若干個所述溝槽沿所述柵極延伸的方向間隔排布。

7.根據權利要求6所述的LDMOS器件，其特征在于，若干所述溝槽沿所述柵極延伸的方向設置呈一列。

8.根據權利要求6所述的LDMOS器件，其特征在于，還包括互連結構，所述互連結構將所述源極與所述金屬場板電連接。

9.一種LDMOS器件制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供基底；

于所述基底內形成若干個間隔排布的溝槽，所述溝槽內填充隔離介質層；

于所述基底內形成漂移區，所述溝槽分布于所述漂移區內；

于各所述溝槽內分別形成金屬場板，所述隔離介質層至少位于所述金屬場板與所述溝槽的內壁之間。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述于所述基底內形成漂移區，所述溝槽分布于所述漂移區內之后，所述于各所述溝槽內分別形成金屬場板，所述隔離介質層至少位于所述金屬場板與所述溝槽的內壁之間之前，還包括：

于所述漂移區內形成體區；

于所述基底上形成柵氧化層，所述柵氧化層覆蓋所述漂移區的和所述體區；

于所述柵氧化層的表面形成柵極，且所述柵極跨設在所述漂移區和所述體區上方；

于所述體區內形成源極，并于所述漂移區內形成漏極；所述源極位于所述柵極遠離所述金屬場板的一側，所述漏極位于所述溝槽遠離所述柵極的一側。

11.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，若干個所述溝槽沿所述柵極延伸的方向間隔排布。

12.根據權利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述于所述體區內形成源極，并于所述漂移區內形成漏極；所述源極位于所述柵極遠離所述金屬場板的一側，所述漏極位于所述溝槽遠離所述柵極的一側之后，還包括：形成互連結構，所述互連結構將所述金屬場板與所述源極電連接。