[發明專利]芯片轉移到晶圓的方法

有效

• 申請號: 201911417000.0
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111162037B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發明（設計）人: 劉孟彬;李林超
• 申請（專利權）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京思創大成知識產權代理有限公司 11614
• 代理人: 張立君

一種芯片轉移到晶圓的方法，包括：提供襯底，襯底包括一個或多個第一區域；在襯底上形成多個呈陣列排布的多個源芯片，每個第一區域內具有第一陣列排布的源芯片，第一陣列為A行×B列；提供目標器件晶圓，目標器件晶圓具有多個第一目標區域，第一目標區域的尺寸與第一區域的尺寸相同；通過第一轉移操作將一個或多個第一區域上的全部源芯片，轉移到目標器件晶圓的一個或多個第一目標區域。本發明能夠實現大量的芯片同步轉移和鍵合貼裝，大大提高了生產效率，并降低成本。

技術領域

本發明涉及半導體器件制造領域，尤其涉及一種芯片轉移到晶圓的方法。

背景技術

SIP(System?In?Package)將多個不同功能的有源元件，以及無源元件、微機電系統(MEMS)、光學元件等其他元件，組合到一個單元中，形成一個可提供多種功能的系統或子系統，允許異質IC集成，是最好的封裝集成。相比于SoC，SiP集成相對簡單，設計周期和面市周期更短，成本較低，可以實現更復雜的系統。

與傳統的SIP相比，3D晶圓級封裝是在晶圓上完成封裝制程，具有大幅減小封裝結構的面積、降低制造成本、優化電性能、批次制造等優勢，可明顯的降低工作量與設備的需求。

現有技術中，將芯片鍵合到晶圓上一般都是通過直接貼裝(Direct?Attach)方式實現，這種方式只能夠逐個拾取芯片轉移到晶圓上進行貼裝，效率比較低，生產成本高。

因此需要提出一種能夠同時將大量芯片轉移到晶圓上的方法。

發明內容

本發明的目的在于提供一種芯片轉移到晶圓的方法，能夠同時將大量芯片轉移到晶圓上。

為了實現上述目的，本發明提供一種芯片轉移到晶圓的方法，包括：

提供襯底，所述襯底包括一個或多個第一區域；

在所述襯底上形成多個呈陣列排布的源芯片，所述每個第一區域內具有第一陣列排布的源芯片，所述第一陣列為A行×B列；

提供第一目標器件晶圓，所述第一目標器件晶圓具有多個第一目標區域，所述第一目標區域的尺寸與第一區域的尺寸相同；

通過第一轉移操作將所述一個或多個第一區域上的源芯片，全部轉移到第一目標器件晶圓的一個或多個第一目標區域；

所述第一轉移操作的步驟包括：

提供靜電載具，將所述靜電載具移至所述源芯片層中所述源芯片陣列的上方；

使所述靜電載具同時吸附釋放的多個源芯片并轉移到所述第一目標器件晶圓上，使所述靜電載具吸附一個或多個第一區域中的多個源芯片位于所述第一目標器件晶圓的一個或多個第一目標區域上；

移除所述靜電載具。

可選地，所述襯底包括一個或多個第二區域；所述每個第二區域內具有第二陣列排布的多個源芯片，所述第二陣列為C行×D列，且A與C不相等，B與D不相等；

所述第二目標器件晶圓具有多個第二目標區域，所述第二目標區域的尺寸與第二區域的尺寸相同；

通過第二轉移操作將所述一個或多個第二區域上的源芯片，全部轉移到第二目標器件晶圓的一個或多個第二目標區域，

S21：提供靜電載具，將所述靜電載具移至所述源芯片層中所述源芯片組陣列的上方；

S22：使所述靜電載具同時吸附釋放的多個源芯片并轉移到所述第二目標器件晶圓上，使所述靜電載具吸附一個或多個第二區域中的多個源芯片位于所述第二目標器件晶圓的一個第二目標區域上；

S23：移除所述靜電載具。