[發明專利]芯片轉移到晶圓的方法

有效

• 申請號: 201911417000.0
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111162037B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發明（設計）人: 劉孟彬;李林超
• 申請（專利權）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京思創大成知識產權代理有限公司 11614
• 代理人: 張立君

1.一種芯片轉移到晶圓的方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括一個或多個第一區域；

在所述襯底上形成多個呈陣列排布的源芯片，所述每個第一區域內具有第一陣列排布的源芯片，所述第一陣列為A行×B列；

提供第一目標器件晶圓，所述第一目標器件晶圓具有多個第一目標區域，所述第一目標區域的尺寸與第一區域的尺寸相同；

通過第一轉移操作將所述一個或多個第一區域上的全部源芯片，轉移到第一目標器件晶圓的一個或多個第一目標區域；

所述第一轉移操作的步驟包括：

提供靜電載具，將所述靜電載具移至源芯片層中所述源芯片陣列的上方；

使所述靜電載具同時吸附釋放的多個源芯片并轉移到所述第一目標器件晶圓上，使所述靜電載具吸附一個第一區域中的多個源芯片位于所述目標器件晶圓的一個第一目標區域上；

移除所述靜電載具；

所述襯底還包括一個或多個第二區域；所述每個第二區域內具有第二陣列排布的多個源芯片，所述第二陣列為C行×D列，且A與C不相等，B與D不相等；

第二目標器件晶圓具有多個第二目標區域，所述第二目標區域的尺寸與第二區域的尺寸相同；

通過第二轉移操作將所述一個或多個第二區域上的全部源芯片，轉移到第二目標器件晶圓的一個或多個第二目標區域。

2.根據權利要求1所述的芯片轉移到晶圓的方法，其特征在于，

S21：提供靜電載具，將所述靜電載具移至所述源芯片層中所述源芯片組陣列的上方；

S22：使所述靜電載具同時吸附釋放的多個源芯片并轉移到所述目標器件晶圓上，使所述靜電載具吸附一個或多個第二區域中的多個源芯片位于所述第二目標器件晶圓的一個或多個第二目標區域上；

S23：移除所述靜電載具。

3.根據權利要求2所述的芯片轉移到晶圓的方法，其特征在于，

所述襯底還包括一個或多個第三區域；所述每個第三區域內具有第三陣列排布的多個源芯片，所述第三陣列為E行×F列，且E與A和C均不相等，F與B和D均不相等；

第三目標器件晶圓具有一個或多個第三目標區域，所述第三目標區域的尺寸與第三區域的尺寸相同；

通過第三轉移操作將所述一個或多個第三區域上的源芯片，全部轉移到所述第三目標器件晶圓的一個或多個第三目標區域上，

S31：提供靜電載具，將所述靜電載具移至所述源芯片層中所述源芯片組陣列的上方；

S32：使所述靜電載具同時吸附釋放的多個源芯片并轉移到所述第三目標器件晶圓上，使所述靜電載具吸附一個或多個第三區域中的多個源芯片位于所述第三目標器件晶圓的一個或多個第三目標區域上；

S33：移除所述靜電載具。

4.根據權利要求3所述的芯片轉移到晶圓的方法，其特征在于，所述第一陣列的行間距、第二陣列的行間距和第三陣列的行間距相等或不相等；和/或，所述第一陣列的列間距、第二陣列的列間距和第三陣列的列間距相等或不相等。

5.根據權利要求3所述的芯片轉移到晶圓的方法，其特征在于，所述第一區域中的源芯片為第一芯片，所述第二區域中的源芯片為第二芯片，所述第三區域中的源芯片為第三芯片，所述第一芯片、第二芯片和第三芯片為不同功能的芯片或者相同功能的芯片。

6.根據權利要求1所述的芯片轉移到晶圓的方法，其特征在于，所述第一目標器件晶圓具有一個或多個第一器件容置區，所述一個第一器件容置區具有一個或多個第一目標區域；所述多個第一目標區域在所述第一器件容置區內呈陣列排布。

7.根據權利要求1所述的芯片轉移到晶圓的方法，其特征在于，在所述襯底上形成多個呈陣列排布的源芯片的方法包括：

在所述襯底的上表面形成臨時鍵合層；提供源器件晶圓，所述源器件晶圓具有器件區和包圍所述器件區的切割區，所述器件區內具有多個整列排布的源芯片；

對所述器件晶圓的所述切割區進行第一處理，在所述源器件晶圓具有器件區的一面形成所述源芯片層；

將所述源芯片層與所述臨時鍵合層鍵合；

對所述源器件晶圓進行第二處理，去除源芯片層以外的源器件晶圓，使源芯片層中的源芯片互相分離。