[發明專利]重新排序存儲器位元的方法及重新排序電路以及累加電路在審
| 申請號: | 201911416116.2 | 申請日: | 2019-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN112825264A | 公開(公告)日: | 2021-05-21 |
| 發明(設計)人: | 林金溪 | 申請(專利權)人: | 珠海南北極科技有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/00 | 分類號: | G11C29/00 |
| 代理公司: | 北京高沃律師事務所 11569 | 代理人: | 楊媛媛 |
| 地址: | 中國臺灣新竹縣竹北*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 重新 排序 存儲器 位元 方法 電路 以及 累加 | ||
本發明提供一種重新排序存儲器位元的方法,其中包括:提供多個位元修補資料分別對應多個存儲器位元以供標記對應的存儲器位元是否為不佳位元;根據該多個位元修補資料產生多個選擇信號;根據該多個位元修補資料及該多個選擇信號或根據該多個選擇信號從該多個存儲器位元中選取多個良好的存儲器位元并分別耦接至該存儲器的多個輸入輸出端。
技術領域
本發明有關一種存儲器,特別是關于一種重新排序存儲器位元的方法及重新排序電路以及累加電路。
背景技術
在存儲器中,會因為在制造過程中的各種非理想因素而產生不佳存儲器位元,因此最初設計存儲器時,會利用內部的部分空間設置多余存儲器位元,當存儲器經由測試發現具有不佳存儲器位元時,可以使用多余存儲器位元取代這些不佳存儲器位元,以發揮修復效能,提升存儲器的制造良率。傳統的修復存儲器方式是在設計時加入多余列(rowredundancy)或多余行(column redundancy)的輔助電路,以在發現存儲器中具有不佳存儲器位元時,可以取代包含該不佳存儲器位元的行或列。
然而,傳統的方法是替換一整行或一整列的存儲器位元,因此除了替換不佳存儲器之外,也會替換一行或一列中的良好存儲器位元,造成浪費。此外隨著存儲器尺寸縮小及存儲器容量增大,存儲器位元陣列密度隨之提高,因此不佳存儲器位元的數量也隨之增多,設置多余行或多余列的空間需求也變多,導致若要配置足夠的多余行或多余列的存儲器位元進行替換,則所需額外的面積相當龐大。因此替換一整行或一整列的存儲器位元的方式已不適用在小體積且大容量的存儲器中。相對于傳統方法,本發明使用位元取代位元方法,在與傳統方法具有相同或更少多余存儲器的情況下,達成更有效率的修補效果。
發明內容
本發明的目的之一,在于提出一種存儲器的重新排序電路及重新排序存儲器位元的方法。
根據本發明,一種重新排序存儲器位元的方法包括:提供多個位元修補資料分別對應多個存儲器位元以供判斷對應的存儲器位元是否有缺陷;根據該多個位元修補資料產生多個選擇信號;根據該多個位元修補資料及該多個選擇信號或根據該多個選擇信號從該多個存儲器位元中選取多個良好的存儲器位元并分別耦接至該存儲器的多個輸入輸出端。
根據本發明,一種存儲器的重新排序電路包括多個判斷電路。在一實施例中,該多個判斷電路分別接收對應多個一般存儲器位元的多個第一位元修補資料以產生多個選擇信號,該重新排序電路根據該多個第一位元修補資料及該多個選擇信號由多個一般存儲器位元及多個多余存儲器位元中選擇良好的存儲器位元耦接至該存儲器的多個輸入輸出端。在另一實施例中,該多個判斷電路的第M個判斷電路根據對應多個存儲器位元的多個位元修補資料中的第M個位元修補資料至第M+N個位元修補資料產生一選擇信號,其中M及N為大于0的整數,其中該多個存儲器位元包括多個一般存儲器位元及多個多余存儲器位元,該重新排序電路根據該選擇信號從第M個存儲器位元至第M+N個存儲器位元中選擇其中一個良好的存儲器位元耦接至該存儲器的一個輸入輸出端。
相對于傳統方法,本發明使用位元取代位元方法,在與傳統方法具有相同或更少多余存儲器的情況下,本發明能達成更有效率的修補效果。此外,傳統方法需要較復雜的電路來判斷不佳位元的位置及未被使用的多余存儲器,因此面積較大且處理速度較慢,而本發明的重新排序電路可利用簡單的邏輯門來判斷不佳位元及未被使用的多余存儲器,故本發明的重新排序電路的面積較小且處理速度較快。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動性的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為應用本發明重新排序電路的存儲器;
圖2為圖1中重新排序電路的實施例;
圖3為圖2中多工器的實施例;
圖4為應用在圖2中判斷電路的基本電路;
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