[發明專利]重新排序存儲器位元的方法及重新排序電路以及累加電路

在審

• 申請號: 201911416116.2
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN112825264A
• 公開（公告）日: 2021-05-21
• 發明（設計）人: 林金溪
• 申請（專利權）人: 珠海南北極科技有限公司
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 楊媛媛

1.一種重新排序存儲器位元的方法，其特征在于，用以從多個存儲器位元中選擇多個良好的存儲器位元分別耦接至存儲器的多個輸入輸出端，該方法包括下列步驟：

提供多個位元修補資料分別對應該多個存儲器位元中的多個一般存儲器位元，該多個位元修補資料是用以標記對應的一般存儲器位元是否為不佳位元；

根據該多個位元修補資料產生多個選擇信號；

在該多個位元修補資料的所對應的一般存儲器位元為良好位元時，將該所對應的一般存儲器位元耦接至該多個輸入輸出端的其中一個；以及

在該多個位元修補資料的所對應的一般存儲器位元為不佳位元時，根據對應的選擇信號從該多個存儲器位元中的多個多余存儲器位元中選擇其中一個耦接至該多個輸入輸出端的其中一個。

2.根據權利要求1所述的重新排序存儲器位元的方法，其特征在于，其中該根據該多個位元修補資料產生多個選擇信號的步驟包括：

根據該多個位元修補資料中的第一位元修補資料產生該多個選擇信號中的第一選擇信號及產生一累計信號，其中該第一選擇信號具有一反應資料，該第一位元修補資料決定該反應資料在該第一選擇信號中的位置，該第一選擇信號依據該反應資料的位置決定該第一選擇信號所要選擇的多余存儲器位元；以及

根據該多個位元修補資料中的第二位元修補資料及該累計信號產生該多個選擇信號中的第二選擇信號，其中該第二選擇信號具有該反應資料，該第二位元修補資料決定該反應資料在該第二選擇信號中的位置，該第二選擇信號依據該反應資料的位置決定該第二選擇信號所要選擇的多余存儲器位元。

3.一種存儲器的重新排序電路，其特征在于，連接在存儲器的多個存儲器位元及多個輸入輸出端之間用以排序該多個輸入輸出端所耦接的存儲器位元，該多個存儲器位元包含多個一般存儲器位元及多個多余存儲器位元，該重新排序電路包括：

多個判斷電路，分別接收對應該多個一般存儲器位元的多個第一位元修補資料以產生多個選擇信號；

其中，該多個選擇信號皆具有反應資料，且每一個選擇信號中該反應資料的位置是由對應的第一位元修補資料決定；

其中，該多個第一位元修補資料及該多個選擇信號用以從該多個存儲器位元中選取多個良好的存儲器位元分別耦接至該多個輸入輸出端；

其中，該多個第一位元修補資料被用來標記對應的一般存儲器位元是否為不佳位元。

4.根據權利要求3所述的存儲器的重新排序電路，其特征在于，更包括多個多工器，分別連接該多個判斷電路及分別連接該多個輸入輸出端，其中每一個多工器耦接該多個一般存儲器位元的其中一個及該多個多余存儲器位元中的至少一個，并根據所接收的第一位元修補資料及所接收的選擇信號決定耦接至所對應的輸入輸出端的存儲器位元。

5.根據權利要求4所述的存儲器的重新排序電路，其特征在于，更包括一多余位元排序電路，耦接該多個多余存儲器位元，根據對應該多個多余存儲器位元的多個第二位元修補資料，將該多個多余存儲器位元中的良好位元耦接至該多個多工器，其中該多個第二位元修補資料被用來標記對應的多余存儲器位元是否為不佳位元。

6.根據權利要求3所述的存儲器的重新排序電路，其特征在于，其中該多個判斷電路包括多個與非門或多個或非門。

7.根據權利要求3所述的存儲器的重新排序電路，其特征在于，其中該多個判斷電路包括多個MOS晶體管。

8.根據權利要求3所述的存儲器的重新排序電路，其特征在于，其中該多個選擇信號被用來判斷該多個多個一般存儲器位元中的不佳位元數量。