[發明專利]一種微LED器件及陣列

在審

• 申請號: 201911415055.8
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111129274A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 劉久澄;龔政;陳志濤;潘章旭;郭嬋
• 申請（專利權）人: 廣東省半導體產業技術研究院
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L25/075
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 張欣欣

本發明提供了一種微LED器件及陣列，涉及半導體技術領域。該微LED器件從下往上依次包括N型半導體層，量子阱，P型半導體層以及至少一個微凸點金屬堆疊層，微凸點金屬堆疊層與P型半導體的一側連接；微凸點金屬堆疊層用于與目標基板連接，且微凸點金屬堆疊層用于實現微LED器件與目標基板的電連接。本發明提供的微LED器件及陣列具有改善了薄膜型微LED器件的機械強度，便于組裝焊接，提高了顯示陣列的可靠性的優點。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種微LED器件及陣列。

背景技術

發光二極管(Light Emitting Diode，LED)作為一種發光器件已經廣泛應用于照明、背光等領域。近年來，將LED器件組裝在驅動基板上構成LED陣列，獨立控制LED的發光，將LED器件作為像素發光單元的LED顯示已經廣泛應用于戶外廣告等領域。將LED器件的尺寸進一步的LED器件的縮小可以提高像素密度，提高圖像的顯示質量，推動LED顯示技術往室內顯示和可穿戴顯示領域發展。然而，LED器件尺寸的縮小為LED顯示陣列的組裝帶來了許多的不便，成品率低。其中之一就是薄膜化的微LED器件的在縱向尺寸上也是超薄結構，力學性能差，轉移過程容易碎裂或組裝焊接可靠性和成品率低。

綜上，現有技術中微LED的器件只是簡單的對LED器件進行微型化和薄膜化處理，并沒有為兼容后續轉移和組裝工藝進行特別的考慮。容易導致現有微LED技術在轉移和組裝中較為困難，成品率低。

發明內容

本申請的目的在于提供一種微LED器件結構及陣列，以解決現有技術中微LED的轉移和組裝較為困難的問題。

為了實現上述目的，本申請實施例采用的技術方案如下：

一方面，本申請實施例提供了一種微LED器件，所述微LED器件從下往上依次包括N型半導體層、量子阱、P型半導體層以及至少一個微凸點金屬堆疊層；其中，

所述微凸點金屬堆疊層用于與目標基板連接，且所述微凸點金屬堆疊層用于實現所述微LED器件與所述目標基板的電連接。

進一步地，所述微LED器件還包括第一歐姆接觸金屬層與第二歐姆接觸金屬層，所述微凸點金屬堆疊層所述第一歐姆接觸金屬層和/或第二歐姆接觸金屬層連接，所述第一歐姆接觸金屬層與所述N型半導體層連接，所述第二歐姆接觸金屬層與所述P型半導體層連接。

進一步地，微LED器件還包括反射金屬層，所述反射金屬層設置于所述P型半導體層上。

進一步地，所述微凸點金屬堆疊層的高度為1～50um。

進一步地，所述微凸點金屬堆疊層包括多層金屬層。

進一步地，所述多層金屬層包括Ni/Cu/Sn。

進一步地，所述微凸點金屬堆疊層的形狀為長方體、圓柱體或圓臺形。

進一步地，所述微凸點金屬堆疊層包括焊接層，所述焊接層設置于所述微凸點金屬堆疊層遠離所述P型半導體層的一側。

另一方面，本申請實施例還提供了一種微LED陣列，所述微LED陣列包括多個上述的微LED器件，且多個所述微LED器件陣列排布。

相對于現有技術，本申請具有以下有益效果：