[發(fā)明專利]一種微LED器件及陣列在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911415055.8 | 申請日： | 2019-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN111129274A | 公開（公告）日： | 2020-05-08 |
| 發(fā)明（設計）人： | 劉久澄;龔政;陳志濤;潘章旭;郭嬋 | 申請（專利權）人： | 廣東省半導體產(chǎn)業(yè)技術研究院 |
| 主分類號： | H01L33/62 | 分類號： | H01L33/62;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 張欣欣 |
| 地址： | 510000 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 led 器件 陣列 | ||
1.一種微LED器件，其特征在于，所述微LED器件從下往上依次包括N型半導體層、量子阱、P型半導體層以及至少一個微凸點金屬堆疊層；其中，
所述微凸點金屬堆疊層用于與目標基板連接，且所述微凸點金屬堆疊層用于實現(xiàn)所述微LED器件與所述目標基板的電連接。
2.如權利要求1所述的微LED器件，其特征在于，所述微LED器件還包括第一歐姆接觸金屬層與第二歐姆接觸金屬層，所述微凸點金屬堆疊層所述第一歐姆接觸金屬層和/或第二歐姆接觸金屬層連接，所述第一歐姆接觸金屬層與所述N型半導體層連接，所述第二歐姆接觸金屬層與所述P型半導體層連接。
3.如權利要求1所述的微LED器件，其特征在于，微LED器件還包括反射金屬層，所述反射金屬層設置于所述P型半導體層上。
4.如權利要求1所述的微LED器件，其特征在于，所述微凸點金屬堆疊層的高度為1～50um。
5.如權利要求1所述的微LED器件，其特征在于，所述微凸點金屬堆疊層包括多層金屬層。
6.如權利要求5所述的微LED器件，其特征在于，所述多層金屬層包括Ni/Cu/Sn。
7.如權利要求1所述的微LED器件，其特征在于，所述微凸點金屬堆疊層的形狀為長方體、圓柱體或圓臺形。
8.如權利要求1所述的微LED器件，其特征在于，所述微凸點金屬堆疊層包括焊接層，所述焊接層設置于所述微凸點金屬堆疊層遠離所述P型半導體層的一側。
9.一種微LED陣列，其特征在于，所述微LED陣列包括多個如權利要求1至8任意一項所述的微LED器件，且多個所述微LED器件陣列排布。
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