[發明專利]提高底部金屬與焊墊辨識度的方法

在審

• 申請號: 201911414833.1
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN113130335A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 尹佳山;周祖源;吳政達;林正忠
• 申請（專利權）人: 盛合晶微半導體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 佟婷婷

本發明提供一種提高底部金屬與焊墊辨識度的方法，所述方法包括：提供基底，形成具有第一窗口第一掩膜層、底部金屬，去除第一掩膜層，形成具有第二窗口的第二掩膜層，形成焊墊，去除第二掩膜層，進行氧化處理，再在焊墊上形成金屬線。本發明對焊墊周圍的底部金屬進行氧化處理，使得這一部分底部金屬表面形成一層金屬氧化物層，可以增加焊墊與其周圍材料層的顏色差異，從而提高二者之間的辨識度，另外，還可以通過去除所述金屬氧化物層的工藝增加這一部分材料層(底部金屬)的粗糙度，以提高二者之間的辨識度，從而有利于在焊墊上準確有效的制備金屬線，提高金屬線制備的良率。

技術領域

本發明屬于封裝領域，特別是涉及一種提高底部金屬與焊墊辨識度的方法。

背景技術

晶圓級封裝(Wafer Level Packaging，WLP)的一般定義為：直接在晶圓(Wafer)上進行大多數或全部的封裝及測試程序，之后再進行切割(Singulation)制成單顆芯片(Chip)。由于WLP具有較高的封裝密度、較快的封裝速度及較低的封裝成本，已成為目前較為先進的封裝方法之一，得到了廣泛的應用。

現有封裝工藝中，需要對金屬層以及形成在這一金屬層上的引出焊墊進行識別區分，存在二者之間難以有效區分的問題，例如，在封裝工藝中，當在接地金屬(如GND Cu)上形成焊墊金屬之后，往往需要將二者辨識，從而可以在焊墊金屬上制備金屬線，如果二者之間的形貌、粗糙度等影響辨識的因素較接近，則難以將二者進行有效區分，勢必影響后續金屬線制備的良率，影響產品的良率。

因此，如何提供一種提高底部金屬與焊墊辨識度的方法以解決上述問題實屬必要。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種提高底部金屬與焊墊辨識度的方法，用于解決現有技術中焊墊與其周圍的底部金屬辨識度較差難以有效區分等問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種提高底部金屬與焊墊辨識度的方法，所述方法包括：

提供基底；

于所述基底上形成第一掩膜層，所述第一掩膜層包括定義底部金屬位置的第一窗口；

于所述第一窗口中形成所述底部金屬；

去除所述第一掩膜層；

于所述基底上形成第二掩膜層，所述第二掩膜層包圍所述底部金屬且所述第二掩膜層包括定義焊墊的第二窗口，所述第二窗口顯露所述底部金屬；

于所述第二窗口中形成焊墊；

去除所述第二掩膜層；

對形成有所述底部金屬及所述焊墊的結構進行氧化處理，以于所述焊墊周圍的所述底部金屬表面形成金屬氧化物層；以及

于所述焊墊上制備金屬線。

可選地，所述焊墊包括依次形成于所述第二窗口中所述底部金屬表面的緩沖阻擋層及金屬層。

可選地，所述緩沖阻擋層包括Ni層；所述金屬層包括Au層；所述底部金屬材料包括Cu。

可選地，所述緩沖阻擋層的厚度介于1.8μm-2.2μm之間；所述金屬層的厚度介于0.1μm-1μm之間；所述底部金屬的厚度介于3μm-6μm之間。

可選地，所述基底上還形成有種子層，所述第一窗口顯露所述種子層，所述第一掩膜層及所述底部金屬均形成于所述種子層上，其中，去除所述第一掩膜層之后去除所述種子層。

可選地，所述種子層包括依次形成于所述基底上的粘附層及上金屬層，其中，所述上金屬層的材料與所述底部金屬的材料相同，所述粘附層包括Ti層。