[發明專利]提高底部金屬與焊墊辨識度的方法

在審

• 申請號: 201911414833.1
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN113130335A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 尹佳山;周祖源;吳政達;林正忠
• 申請（專利權）人: 盛合晶微半導體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 佟婷婷

1.一種提高底部金屬與焊墊辨識度的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底；

于所述基底上形成第一掩膜層，所述第一掩膜層包括定義底部金屬位置的第一窗口；

于所述第一窗口中形成所述底部金屬；

去除所述第一掩膜層；

于所述基底上形成第二掩膜層，所述第二掩膜層包圍所述底部金屬且所述第二掩膜層包括定義焊墊的第二窗口，所述第二窗口顯露所述底部金屬；

于所述第二窗口中形成焊墊；

去除所述第二掩膜層；

對形成有所述底部金屬及所述焊墊的結構進行氧化處理，以于所述焊墊周圍的所述底部金屬表面形成金屬氧化物層；以及

于所述焊墊上制備金屬線。

2.根據權利要求1所述的提高底部金屬與焊墊辨識度的方法，其特征在于，所述焊墊包括依次形成于所述第二窗口中所述底部金屬表面的緩沖阻擋層及金屬層。

3.根據權利要求2所述的提高底部金屬與焊墊辨識度的方法，其特征在于，所述緩沖阻擋層包括Ni層；所述金屬層包括Au層；所述底部金屬的材料包括Cu。

4.根據權利要求2所述的提高底部金屬與焊墊辨識度的方法，其特征在于，所述緩沖阻擋層的厚度介于1.8μm-2.2μm之間；所述金屬層的厚度介于0.1μm-1μm之間；所述底部金屬的厚度介于3μm-6μm之間。

5.根據權利要求1所述的提高底部金屬與焊墊辨識度的方法，其特征在于，所述基底上還形成有種子層，所述第一窗口顯露所述種子層，所述第一掩膜層及所述底部金屬均形成于所述種子層上，其中，去除所述第一掩膜層之后去除所述種子層。

6.根據權利要求5所述的提高底部金屬與焊墊辨識度的方法，其特征在于，所述種子層包括依次形成于所述基底上的粘附層及上金屬層，其中，所述上金屬層的材料與所述底部金屬的材料相同，所述粘附層包括Ti層。

7.根據權利要求1所述的提高底部金屬與焊墊辨識度的方法，其特征在于，所述基底包括支撐層、形成于所述支撐層上的剝離層以及形成于所述剝離層上的介質層，其中，所述底部金屬基于所述第一窗口形成于所述介質層上。

8.根據權利要求1所述的提高底部金屬與焊墊辨識度的方法，其特征在于，制備所述金屬線的工藝包括打線工藝。

9.根據權利要求1所述的提高底部金屬與焊墊辨識度的方法，其特征在于，進行所述氧化處理的溫度介于100℃-200℃之間，氧氣的百分比含量介于1％-20％之間。

10.根據權利要求1-8中任意一項所述的提高底部金屬與焊墊辨識度的方法，其特征在于，進行所述氧化處理之后還包括去除所述金屬氧化物層的步驟。

11.根據權利要求10所述的提高底部金屬與焊墊辨識度的方法，其特征在于，采用去除液去除所述金屬氧化物層，所述去除液包括H₂SO₄、H₃PO₄以及CH₃COOH中的至少一種。

12.一種提高底部金屬與焊墊辨識度的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底；

于所述基底上形成第一掩膜層，所述第一掩膜層包括定義底部金屬位置的第一窗口；

于所述第一窗口中形成所述底部金屬；

于形成有所述底部金屬及所述第一掩膜層的結構上形成第二掩膜層，所述第二掩膜層包括定義焊墊的第二窗口，且所述第二窗口顯露所述底部金屬；

于所述第二窗口中形成焊墊；

去除所述第二掩膜層及所述第一掩膜層；

對形成有所述底部金屬及所述焊墊的結構進行氧化處理，以于所述焊墊周圍的所述底部金屬表面形成金屬氧化物；以及

于所述焊墊上制備金屬線。

13.根據權利要求12所述的提高底部金屬與焊墊辨識度的方法，其特征在于，所述焊墊的面積介于所述底部金屬面積的1％-10％之間。