[發明專利]半導體模塊封裝方法及半導體模塊在審
| 申請號： | 201911413773.1 | 申請日： | 2019-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN111599769A | 公開（公告）日： | 2020-08-28 |
| 發明（設計）人： | 陳莉;霍炎 | 申請（專利權）人： | 矽磐微電子（重慶）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415 | 代理人： | 曾鶯華 |
| 地址： | 401331 重*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 模塊 封裝 方法 | ||
1.一種半導體模塊封裝方法，其特征在于，其包括以下步驟：
S1：將第一芯片組件貼裝在載板上；
S2：通過第一包封層覆蓋在整個所述載板上，對所述第一芯片組件進行塑封形成第一包封結構件；
S3：剝離所述載板；
S4：在所述第一包封結構件上形成第一再布線結構，所述第一再布線結構對應于第一芯片組件設有焊墊的一面形成于所述第一包封結構件的一面，所述第一再布線結構與所述第一芯片組件的焊墊電連接；
S5：將所述第一再布線結構與引線框電連接；
S6：對一面形成有所述第一再布線結構的所述第一包封結構件以及部分所述引線框進行塑封，形成半導體模塊。
2.如權利要求1所述的半導體模塊封裝方法，其特征在于，所述第一再布線結構包括相對的第一表面和第二表面，所述第一再布線結構形成于所述第一包封結構件的第一表面，在步驟S4之后，以及步驟S5之前，所述半導體模塊封裝方法包括：
對所述第一包封結構件的第二表面進行研磨。
3.一種半導體模塊封裝方法，其特征在于，其包括以下步驟：
S1：將第一芯片組件貼裝在載板上；
S2：通過第一包封層覆蓋在整個所述載板上，對所述第一芯片組件進行塑封形成第一包封結構件；
S3：剝離所述載板；
S4：在所述第一包封結構件上形成第一再布線結構，所述第一再布線結構對應于第一芯片組件設有焊墊的一面形成于所述第一包封結構件的一面，所述第一再布線結構與所述第一芯片組件的焊墊電連接；
S5：將第二芯片組件與所述第一再布線結構連接，并通過第二包封層覆蓋在整個所述第一再布線結構上，對所述第二芯片組件塑封形成所述第二包封結構件；
S6：在所述第二包封結構件上形成第二再布線結構，所述第二再布線結構對應于第二芯片組件設有焊墊的一面形成于所述第二包封結構件的一面，所述第二再布線結構與所述第二芯片組件的焊墊、和/或所述第一再布線結構電連接；
S7：將所述第二再布線結構與引線框電連接；
S8：對一面形成有所述第一再布線結構的所述第一包封結構件、一面形成有所述第二再布線結構的所述第二包封結構件以及部分所述引線框進行塑封，形成半導體模塊。
4.如權利要求3所述的半導體模塊封裝方法，其特征在于，
在步驟S7中，重復步驟S5和步驟S6，得到疊設的N層所述第二包封結構件及N層所述第二再布線結構，N為大于2的整數，其中，
第1層所述第二包封結構件中的所述第二芯片組件與所述第一再布線結構連接，第N層所述第二再布線結構與第N層所述第二包封結構件中的第二芯片組件、和/或第N-1層所述第二再布線結構電連接；及，
將第N層所述第二再布線結構與所述引線框電連接；
在步驟S8中，對一面形成有所述第一再布線結構的所述第一包封結構件、第1層至第N層一面形成有所述第二再布線結構的所述第二包封結構件以及部分所述引線框進行塑封，形成半導體模塊。
5.如權利要求1或3所述的半導體模塊封裝方法，其特征在于，所述第一芯片組件包括電容、電阻和芯片中的一種或多種。
6.如權利要求3所述的半導體模塊封裝方法，其特征在于，所述第二芯片組件包括電容、電阻和芯片中的一種或多種。
7.如權利要求3所述的半導體模塊封裝方法，其特征在于，所述第一再布線結構包括相對的第一表面和第二表面，所述第一再布線結構形成于所述第一包封結構件的第一表面，在步驟S6之后，以及步驟S7之前，所述半導體模塊封裝方法包括：
對所述第一包封結構件的第二表面進行研磨。
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