[發明專利]一種抑制過沖的基準產生電路有效
| 申請號: | 201911413723.3 | 申請日: | 2019-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN113126688B | 公開(公告)日: | 2023-01-10 |
| 發明(設計)人: | 宋宇 | 申請(專利權)人: | 鉅泉光電科技(上海)股份有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/567 | 分類號: | G05F1/567 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 201210 上海市浦東新區中國(上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 抑制 基準 產生 電路 | ||
本發明提供一種抑制過沖的基準產生電路,包括:正溫度系數電流產生模塊,包括兩級運算放大器,用于在將啟動電壓輸入至兩級運算放大器之間的輸入節點以打破電路簡并點時,根據三極管比例和電阻值產生一具有正溫度系數的電流;參考電壓產生模塊,連接于正溫度系數電流產生模塊,用于產生一具有負溫度系數的電壓,同時將該電流轉換為具有正溫度系數的電壓,并將具有正、負溫度系數的電壓進行疊加,從而產生一與溫度無關的參考電壓;過沖抑制和環路補償模塊,連接于所述輸入節點,用于在輸入節點的節點電壓發生瞬變時,對節點電壓進行抑制以避免其發生過沖,從而避免參考電壓發生過沖。通過本發明解決了現有基準電路存在啟動電壓過沖的問題。
技術領域
本發明涉及集成電路設計領域,特別是涉及一種抑制過沖的基準產生電路。
背景技術
基準電壓源或電壓參考(Voltage Reference)通常是指在電路中用作電壓基準的高穩定度的電壓源,隨著集成電路規模的不斷增大,尤其是系統集成技術(SOC)的發展,基準電壓源也成為大規模、超大規模集成電路和幾乎所有數字模擬系統中不可缺少的基本電路模塊。
理想的基準電壓源應不受電源和溫度的影響,在電路中能提供穩定的電壓,“基準”這一術語正說明基準電壓源的數值應比一般電源具有更高的精度和穩定性。但通常情況下,基準電路會因啟動電路的存在而存在啟動電壓過沖的問題,從而導致其產生的基準電壓發生過沖,進而對相關模塊的功能實現產生影響。
發明內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本發明的目的在于提供一種抑制過沖的基準產生電路,用于解決現有基準電路存在啟動電壓過沖的問題。
為實現上述目的及其他相關目的,本發明提供一種抑制過沖的基準產生電路,所述基準產生電路包括:
正溫度系數電流產生模塊,包括兩級運算放大器,用于在將啟動電壓輸入至所述兩級運算放大器之間的輸入節點以打破所述基準產生電路的簡并點時,根據三極管比例和電阻值產生一具有正溫度系數的電流以輸出;
參考電壓產生模塊,連接于所述正溫度系數電流產生模塊,用于產生一具有負溫度系數的電壓,同時將所述正溫度系數電流產生模塊輸出的具有正溫度系數的電流轉換為具有正溫度系數的電壓,并將具有正溫度系數的電壓和具有負溫度系數的電壓進行疊加,從而產生一與溫度無關的參考電壓以輸出;
過沖抑制和環路補償模塊,連接于所述兩級運算放大器之間的輸入節點,用于在所述輸入節點的節點電壓發生瞬變時,對所述節點電壓進行抑制以避免其發生過沖,從而避免所述參考電壓產生模塊輸出的所述參考電壓發生過沖。
可選地,所述正溫度系數電流產生模塊包括:第一三極管、第二三極管、第一電阻、第一級運算放大器、第二級運算放大器、第一PMOS管及第二PMOS管,所述第一三極管的基極連接于所述第一三極管的集電極、所述第二三極管的基極及所述第二三極管的集電極,同時接地,所述第一三極管的發射級連接于所述第一級運算放大器的第一輸入端及所述第一PMOS管的漏極端,所述第二三極管的發射極連接于所述第一電阻的一端,所述第一電阻的另一端連接于所述第一級運算放大器的第二輸入端及所述第二PMOS管的漏極端,所述第一級運算放大器的輸出端連接于所述第二級運算放大器的輸入端,同時作為所述正溫度系數電流產生模塊的輸入節點以接入所述啟動電壓,所述第二級運算放大器的輸出端連接于所述第一PMOS管的柵極端及所述第二PMOS管的柵極端,同時作為所述正溫度系數電流產生模塊的輸出端,所述第一PMOS管的源極端連接于所述第二PMOS管的源極端,同時接入電源電壓。
可選地,所述參考電壓產生模塊包括:第三三極管、第二電阻及第三PMOS管,所述第三三極管的基極連接于所述第三三極管的集電極,同時接地,所述第三三極管的發射極連接于所述第二電阻的一端,所述第二電阻的另一端連接于所述第三PMOS管的漏極端,同時作為所述參考電壓產生模塊的輸出端,所述第三PMOS管的源極端接入電源電壓,所述第三PMOS管的柵極端連接于所述正溫度系數電流產生模塊的輸出端。
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