[發(fā)明專利]一種抑制過沖的基準產(chǎn)生電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911413723.3
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN113126688B
• 公開（公告）日: 2023-01-10
• 發(fā)明（設計）人: 宋宇
• 申請（專利權）人: 鉅泉光電科技（上海）股份有限公司
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種抑制過沖的基準產(chǎn)生電路，其特征在于，所述基準產(chǎn)生電路包括：

正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生模塊，包括兩級運算放大器，用于在將啟動電壓輸入至所述兩級運算放大器之間的輸入節(jié)點以打破所述基準產(chǎn)生電路的簡并點時，根據(jù)三極管比例和電阻值產(chǎn)生一具有正溫度系數(shù)的電流以輸出；

參考電壓產(chǎn)生模塊，連接于所述正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生模塊，用于產(chǎn)生一具有負溫度系數(shù)的電壓，同時將所述正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生模塊輸出的具有正溫度系數(shù)的電流轉換為具有正溫度系數(shù)的電壓，并將具有正溫度系數(shù)的電壓和具有負溫度系數(shù)的電壓進行疊加，從而產(chǎn)生一與溫度無關的參考電壓以輸出；

過沖抑制和環(huán)路補償模塊，連接于所述兩級運算放大器之間的輸入節(jié)點，用于在所述輸入節(jié)點的節(jié)點電壓發(fā)生瞬變時，對所述節(jié)點電壓進行抑制以避免其發(fā)生過沖，從而避免所述參考電壓產(chǎn)生模塊輸出的所述參考電壓發(fā)生過沖；

其中，所述過沖抑制和環(huán)路補償模塊包括：耦合電容、第四電阻及一NMOS管，所述耦合電容的一端連接于所述NMOS管的漏極端，同時連接于所述兩級運算放大器之間的輸入節(jié)點，所述耦合電容的另一端連接于所述第四電阻的一端及所述NMOS管的柵極端，所述第四電阻的另一端連接于所述NMOS管的源極端，同時接地。

2.根據(jù)權利要求1所述的抑制過沖的基準產(chǎn)生電路，其特征在于，所述正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生模塊包括：第一三極管、第二三極管、第一電阻、第一級運算放大器、第二級運算放大器、第一PMOS管及第二PMOS管，所述第一三極管的基極連接于所述第一三極管的集電極、所述第二三極管的基極及所述第二三極管的集電極，同時接地，所述第一三極管的發(fā)射級連接于所述第一級運算放大器的第一輸入端及所述第一PMOS管的漏極端，所述第二三極管的發(fā)射極連接于所述第一電阻的一端，所述第一電阻的另一端連接于所述第一級運算放大器的第二輸入端及所述第二PMOS管的漏極端，所述第一級運算放大器的輸出端連接于所述第二級運算放大器的輸入端，同時作為所述正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生模塊的輸入節(jié)點以接入所述啟動電壓，所述第二級運算放大器的輸出端連接于所述第一PMOS管的柵極端及所述第二PMOS管的柵極端，同時作為所述正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生模塊的輸出端，所述第一PMOS管的源極端連接于所述第二PMOS管的源極端，同時接入電源電壓。

3.根據(jù)權利要求1所述的抑制過沖的基準產(chǎn)生電路，其特征在于，所述參考電壓產(chǎn)生模塊包括：第三三極管、第二電阻及第三PMOS管，所述第三三極管的基極連接于所述第三三極管的集電極，同時接地，所述第三三極管的發(fā)射極連接于所述第二電阻的一端，所述第二電阻的另一端連接于所述第三PMOS管的漏極端，同時作為所述參考電壓產(chǎn)生模塊的輸出端，所述第三PMOS管的源極端接入電源電壓，所述第三PMOS管的柵極端連接于所述正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生模塊的輸出端。

4.根據(jù)權利要求3所述的抑制過沖的基準產(chǎn)生電路，其特征在于，所述參考電壓產(chǎn)生模塊還包括：第三電阻，所述第三電阻的一端連接于所述第三三極管的集電極，所述第三電阻的另一端連接于所述第二電阻的另一端。

5.根據(jù)權利要求1所述的抑制過沖的基準產(chǎn)生電路，其特征在于，所述基準產(chǎn)生電路還包括：啟動電壓產(chǎn)生模塊，連接于所述過沖抑制和環(huán)路補償模塊前端，用于在所述基準產(chǎn)生電路存在簡并點時，輸出所述啟動電壓以打破所述基準產(chǎn)生電路的簡并點，從而完成所述基準產(chǎn)生電路的啟動。