[發明專利]低壓降電壓轉換器電路及其可待機的電路系統

在審

• 申請號: 201911413170.1
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN113131918A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 李懷兆;王茂林
• 申請（專利權）人: 格科微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H03K19/00
• 分類號: H03K19/00;H03K19/0175;G05F1/575
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種低壓降電壓轉換器電路，其特征在于，包括：功率單元，控制信號單元和存儲單元；

所述存儲單元適于存儲所述功率單元在輸出電壓處于待機系統所需的電壓范圍和負載電阻時，所述控制信號單元中各控制信號VG1~VGN；

所述控制信號單元適于在所述待機系統進入待機狀態時，調取所述存儲單元中所述各控制信號VG1~VGN的值，以控制所述功率單元中的相應的功率器件的導通程度或開關狀態。

2.如權利要求1所述的低壓降電壓轉換器電路，其特征在于，所述控制信號VG1~VGN的值為電平值、開關控制信號或者所述電平值和所述開關控制信號的組合。

3.如權利要求2所述的低壓降電壓轉換器電路，其特征在于，所述開關控制信號為數字控制序列或模擬電平值，用于控制開關管的導通程度或開關狀態。

4.如權利要求1所述的低壓降電壓轉換器電路，其特征在于，包括：所述功率單元包括至少兩個并聯的功率器件，所述控制信號單元適于控制所述功率器件的開關狀態。

5.如權利要求4所述的低壓降電壓轉換器電路，其特征在于，所述功率器件為可控開關特性的器件或者電路。

6.如權利要求4所述的低壓降電壓轉換器電路，其特征在于，所述功率器件為MOS、BJTJFET、MESFET、MODFET或其它的功率器件。

7.如權利要求1所述的低壓降電壓轉換器電路，其特征在于，所述存儲單元為寄存器或OTP。

8.如權利要求1所述的低壓降電壓轉換器電路，其特征在于，所述低壓降電壓轉換器電路還包括反饋單元，所述反饋單元適于建立所述功率單元的輸出電壓Vout與所述控制信號單元提供的控制信號VG1~VGN的電平值的對應調節關系。

9.如權利要求8所述的低壓降電壓轉換器電路，其特征在于，所述反饋單元適于在所述功率單元的輸出電壓Vout降低時，調節所述控制信號單元提供的控制信號VG1~VGN的電平值，使得所述輸出電壓Vout上升，在所述功率單元的輸出電壓Vout上升時，調節所述控制信號單元提供的控制信號VG1~VGN的電平值，使得所述輸出電壓Vout下降。

10.一種可待機的電路系統，包括：工作電路單元，待機電路單元和總控電路單元；

所述待機電路單元適于在所述工作電路單元需要待機時候，在總控電路單元的驅使下，進入待機工作狀態；

所述待機電路包括如權利要求1所述的低壓降電壓轉換器電路。