[發明專利]發光二極管及其制備方法

有效

• 申請號: 201911413164.6
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN113130783B
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 夏思雨;楊一行
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 張楊梅

本發明屬于顯示技術領域，尤其涉及一種發光二極管及其制備方法。本發明提供的發光二極管包括：陽極，陰極，設置在陽極和陰極之間的發光層，設置在陰極和發光層之間的過渡層，過渡層的材料包括：貴金屬納米顆粒和金屬有機框架材料，金屬有機框架材料具有孔道結構，貴金屬納米顆粒負載在孔道結構中。解決了現有發光二極管存在的電子傳輸速率與空穴傳輸速率不平衡的問題，并提高了發光二極管的發光性能。

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，尤其涉及一種發光二極管及其制備方法。

背景技術

量子點發光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)是使用量子點作為發光層材料應用到有機或聚合物電致發光器件中的一種新型顯示器件，由電子和空穴注入到發光層并通過輻射復合發光，具備低成本、重量輕、響應速度快、色彩飽和度高等優點，擁有廣闊的發展前景，已成為新一代LED顯示器件的重要研究方向之一。

然而，目前的量子點發光二極管中，電子傳輸速率常大于空穴傳輸速率，導致發光層的電子和空穴復合不穩定，甚至導致過量的電子注入引起器件功能層如空穴傳輸層的自發光，影響量子點發光器件的發光純度和復合效率，甚至嚴重影響量子點的發光特性。因而，如何平衡量子點發光二極管中電子傳輸速率與空穴傳輸速率，提高空穴和電子在量子點發光層復合的效率，以滿足人們對于高效量子點發光二極管的需求，是本領域技術工作者當前亟需解決的技術問題。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種發光二極管，旨在解決現有發光二極管存在的電子傳輸速率與空穴傳輸速率不平衡的問題。

本發明的另一目的在于提供一種發光二極管的制備方法。

為實現上述發明目的，本發明采用的技術方案如下：

一種發光二極管，包括：

陽極；

陰極；

設置在所述陽極和所述陰極之間的發光層；

設置在所述陰極和所述發光層之間的過渡層，所述過渡層包括貴金屬納米顆粒和金屬有機框架材料，所述金屬有機框架材料具有孔道結構，所述貴金屬納米顆粒負載在所述孔道結構中。

本發明提供的發光二極管，其過渡層的材料包括：貴金屬納米顆粒和金屬有機框架材料，所述金屬有機框架材料具有孔道結構，所述貴金屬納米顆粒負載在所述孔道結構中，實現了平衡發光二極管中電子傳輸速率與空穴傳輸速率的目的，提高了空穴和電子在發光層復合的效率，以及從整體上提高了發光二極管的發光性能。本發明采用了貴金屬納米顆粒和金屬有機框架材料的復合物作為過渡層的材料，一方面，金屬有機框架材料具有介電作用，通過在金屬有機框架材料中引入貴金屬納米顆粒，可以有效調節材料的電阻率，從而靈活地調節電子注入效率，進而實現平衡電子傳輸速率與空穴傳輸速率的目的；另一方面，貴金屬納米顆粒具有等離子體共振效應，可在電場或光的作用下被激發產生分布在靠近納米結構表面的亞波長區域內局部電場，局部電場激發產生等離子共振峰，當該等離子體共振峰與發光層材料的發射峰頻率匹配時發生疊加，從而大大增加了發光層的發光效率和發光強度，與此同時，將貴金屬納米顆粒負載在所述孔道結構中，可避免由于貴金屬納米顆粒與發光層材料直接接觸而導致的熒光淬滅問題，并進一步增加了貴金屬納米顆粒的等離子共振效應。因而，本發明通過上述技術改進，實現了在不影響發光層自身的發光性能的同時，有效地提高了空穴和電子在發光層復合的效率，從整體上提高了發光二極管的發光性能。

相應的，一種發光二極管的制備方法，包括以下制備過渡層的步驟：

提供過渡層材料，所述過渡層材料包括：貴金屬納米顆粒和金屬有機框架材料，所述金屬有機框架材料具有孔道結構，所述貴金屬納米顆粒負載在所述孔道結構中；

將所述過渡層材料沉積在基質上，形成過渡層。