[發(fā)明專利]發(fā)光二極管及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911413164.6
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN113130783B
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發(fā)明（設計）人: 夏思雨;楊一行
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 44414
• 代理人: 張楊梅

1.一種發(fā)光二極管，包括：

陽極；

陰極；

設置在所述陽極和所述陰極之間的發(fā)光層；

設置在所述陰極和所述發(fā)光層之間的過渡層，所述過渡層包括貴金屬納米顆粒和金屬有機框架材料，所述金屬有機框架材料具有孔道結構，所述貴金屬納米顆粒負載在所述孔道結構中；其中，所述貴金屬納米顆粒和所述金屬有機框架材料的重量比為(1-10) : (90-99)。

2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述金屬有機框架材料包括鋅基金屬有機框架材料、銅基金屬有機框架材料和鈷基金屬有機框架材料中的至少一種；和/或

所述貴金屬納米顆粒選自金納米顆粒、銀納米顆粒和鉑納米顆粒中的至少一種。

3.根據(jù)權利要求1至2中任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述貴金屬納米顆粒的粒徑為30-50納米；和/或

所述過渡層的厚度為80-100納米；和/或

所述陰極的厚度為50-100納米。

4.根據(jù)權利要求1至2中任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述陽極和所述發(fā)光層之間還設置有空穴注入層和/或空穴傳輸層；

所述空穴注入層的厚度為20-50納米；

所述空穴傳輸層的厚度為30-50納米。

5.根據(jù)權利要求1至2中任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光層的發(fā)射波長為400-450nm。

6.一種發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括以下制備過渡層的步驟：

提供過渡層材料，所述過渡層材料包括貴金屬納米顆粒和金屬有機框架材料，所述金屬有機框架材料具有孔道結構，所述貴金屬納米顆粒負載在所述孔道結構中；其中，所述貴金屬納米顆粒和所述金屬有機框架材料的重量比為(1-10) : (90-99)；

將所述過渡層材料沉積在基質上，形成過渡層；所述過渡層設置在陰極和發(fā)光層之間。

7.根據(jù)權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述基質包括：陰極以及形成在所述陰極上的電子傳輸層，將所述過渡層材料沉積在基質上的步驟包括：將所述過渡層材料沉積在所述電子傳輸層遠離所述陰極的表面。

8.根據(jù)權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述基質包括：陽極以及形成在所述陽極上的發(fā)光層，將所述過渡層材料沉積在基質上的步驟包括：將所述過渡層材料沉積在所述發(fā)光層遠離所述陽極的表面。

9.根據(jù)權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述貴金屬納米顆粒和所述金屬有機框架材料的重量比為(1-10) : (90-99)；和/或

所述過渡層的厚度為80-100納米；和/或

所述金屬有機框架材料包括鋅基金屬有機框架材料、銅基金屬有機框架材料和鈷基金屬有機框架材料中的至少一種；和/或

所述貴金屬納米顆粒選自金納米顆粒、銀納米顆粒和鉑納米顆粒中的至少一種。