[發明專利]一種高精度高可靠Ir-Cu-Au復合電極芯片電容

在審

• 申請號: 201911412965.0
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111180203A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 賀曉東;段兆祥;楊俊;唐黎民;柏琪星
• 申請（專利權）人: 廣東愛晟電子科技有限公司
• 主分類號: H01G4/005
• 分類號: H01G4/005;H01G4/008
• 代理公司: 廣州駿思知識產權代理有限公司 44425
• 代理人: 吳靜芝

本發明涉及一種高精度高可靠Ir?Cu?Au復合電極芯片電容，所述芯片電容包括陶瓷基片以及兩個分別設于所述陶瓷基片的兩表面上的復合電極，所述復合電極是由銥層、銅層和金層從內向外依次在所述陶瓷基片表面上層疊而成。本發明還涉及所述芯片電容的制備方法。本發明的芯片電容具有穩定性好、可靠性高、不易老化、耐冷熱沖擊等優點。

技術領域

本發明涉及電容技術領域，特別是涉及一種高精度高可靠Ir-Cu-Au復合電極芯片電容。

背景技術

芯片電容，廣泛應用于微波通訊線路、微波功率放大器以及微波集成電路中，起到隔直通交、RF旁路、濾波、調諧等作用。

如圖1所示，現有的芯片電容包括陶瓷基片1’以及兩個分別設于所述陶瓷基片1’兩表面上的金屬電極2’，所述金屬電極2’通常為銀電極。現有的芯片電容的制備工藝為：陶瓷粉料配料→球磨→等靜壓成型→燒結陶瓷錠→切片→絲網印刷法印刷銀漿→烘干→燒銀→劃切。

然而，使用銀電極和采用絲網印刷法存在以下幾個問題：

1)銀漿在絲網印刷和烘干過程中容易受到污染，且得到的銀電極本身也容易氧化、發黃發黑，造成產品的穩定性和可靠性較差；

2)前期制備銀漿和后期烘干銀漿、燒結銀電極的工序較為繁瑣；

3)印刷制得的銀電極層厚度較大且在陶瓷基片的表面上覆蓋不均勻，在劃切過程中容易起皮和產生毛刺，銀漿材料損耗較多；

4)銀層在高溫燒結時會重新結晶，晶型改變從而性能發生改變，造成產品電氣性能下降；

5)在高溫燒銀過程中排放的氣體對環境造成污染。

發明內容

基于此，本發明提供一種高精度高可靠Ir-Cu-Au復合電極芯片電容，其具有穩定性好、可靠性高、不易老化、耐冷熱沖擊等優點。

本發明采取的技術方案是：

一種高精度高可靠Ir-Cu-Au復合電極芯片電容，包括陶瓷基片以及兩個分別設于所述陶瓷基片的兩表面上的復合電極，所述復合電極是由銥層、銅層和金層從內向外依次在所述陶瓷基片表面上層疊而成。

本發明的芯片電容采用銥-Cu-Au復合電極，其中銥層(Ir)作為底層電極，主要起過渡作用，既能與陶瓷基片和銅層很好地結合，又起到一定的阻擋作用，并且可耐受較高的溫度，化學穩定性高，即使外面的銅層和金層受到侵蝕，銥層仍保證整體電極的功能不受影響；銅層(Cu)作為阻擋層，用于阻擋外界對過渡層的破壞，并具有焊接作用；金層(Au)既是焊接層，也是保護層，其穩定性高，能防止氧化、抗腐蝕、防破壞、耐高溫。

本發明將銥層、銅層和金層從內向外層疊制成陶瓷基片表面上的復合電極，能夠有效提升芯片電容的穩定性、耐溫性、抗腐蝕性、抗破壞性，明顯提高可靠性，還能控制芯片電容的電極材料成本，所述芯片電容具有穩定性好、可靠性高、不易老化、耐冷熱沖擊的優點。

具體地，所述銥層的厚度為0.01～2微米。

具體地，所述銅層的厚度為0.01～2微米。

具體地，所述金層的厚度為0.01～1微米。

所述復合電極中，各金屬層的厚度太厚則成本增加，作為過渡層的銥層太薄則影響復合電極與陶瓷基片的結合，作為阻擋層的銅層太薄就起不了阻擋作用，作為焊接層和保護層的金層太薄則外界容易對阻擋層造成破壞，影響產品的可靠性。

進一步，所述銥層的厚度為0.35微米，所述銅層的厚度為0.45微米，所述金層的厚度為0.2微米。此厚度設置較為適宜。