[發明專利]一種高精度高可靠Ir-Cu-Au復合電極芯片電容在審
| 申請號： | 201911412965.0 | 申請日： | 2019-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN111180203A | 公開（公告）日： | 2020-05-19 |
| 發明（設計）人： | 賀曉東;段兆祥;楊俊;唐黎民;柏琪星 | 申請（專利權）人： | 廣東愛晟電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01G4/005 | 分類號： | H01G4/005;H01G4/008 |
| 代理公司： | 廣州駿思知識產權代理有限公司 44425 | 代理人： | 吳靜芝 |
| 地址： | 526020 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高精度 可靠 ir cu au 復合 電極 芯片 電容 | ||
【權利要求書】：
1.一種高精度高可靠Ir-Cu-Au復合電極芯片電容，其特征在于：包括陶瓷基片以及兩個分別設于所述陶瓷基片的兩表面上的復合電極，所述復合電極是由銥層、銅層和金層從內向外依次在所述陶瓷基片表面上層疊而成。
2.根據權利要求1所述的芯片電容，其特征在于：所述銥層的厚度為0.01～2微米。
3.根據權利要求1所述的芯片電容，其特征在于：所述銅層的厚度為0.01～2微米。
4.根據權利要求1所述的芯片電容，其特征在于：所述金層的厚度為0.01～1微米。
5.根據權利要求1所述的芯片電容，其特征在于：所述銥層的厚度為0.35微米，所述銅層的厚度為0.45微米，所述金層的厚度為0.2微米。
6.根據權利要求1-5任一項所述的芯片電容，其特征在于：所述銥層、銅層和金層均采用濺射法形成。
7.權利要求1所述的芯片電容的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：制備陶瓷基材，然后在陶瓷基材兩表面分別依次濺射銥層、銅層和金層，再進行劃切，得到單個的芯片電容。
8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于：在濺射之前，還包括對陶瓷基材進行清洗的步驟。
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