[發(fā)明專利]芯片焊接方法、背板和熱壓合設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911410711.5 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113130726B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-10-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林智遠(yuǎn);顏青青;謝相偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TCL科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/62 | 分類號(hào): | H01L33/62;H01L21/603 |
| 代理公司: | 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人: | 張禹 |
| 地址: | 516006 廣東省惠州市*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 焊接 方法 背板 熱壓 設(shè)備 | ||
本發(fā)明適用于芯片生產(chǎn)制作領(lǐng)域,提供了一種芯片焊接方法、背板和熱壓合設(shè)備。芯片焊接方法包括以下步驟:預(yù)備一容置腔,包括上腔和下腔,一背板設(shè)置在所述上腔和所述下腔之間,所述背板的焊接面設(shè)置有板焊盤(pán)和通風(fēng)孔,所述焊接面位于所述上腔一側(cè),所述通風(fēng)孔連通所述上腔與所述下腔;將芯片置于對(duì)應(yīng)的板焊盤(pán)上,所述芯片包括芯主體和芯焊盤(pán),所述芯焊盤(pán)抵接所述板焊盤(pán),其中,所述通風(fēng)孔設(shè)置在當(dāng)所述芯焊盤(pán)抵接所述板焊盤(pán)時(shí)所述芯主體在所述焊接面的投影會(huì)與所述通風(fēng)孔存在重疊的位置處;在所述上腔通入氣體使得所述氣體經(jīng)所述通風(fēng)孔進(jìn)入所述下腔;焊接所述芯片。本發(fā)明提供的芯片焊接方法有利于提高芯片與背板之間的電學(xué)連接質(zhì)量的穩(wěn)定性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于芯片生產(chǎn)制作領(lǐng)域,尤其涉及一種芯片焊接方法、背板和熱壓合設(shè)備。
背景技術(shù)
用微型發(fā)光二極管制作自發(fā)光顯示陣列能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)良的顯示效果。然而,目前該技術(shù)面臨著多方面的困難。其中一個(gè)難點(diǎn)是如何在發(fā)光二極管芯片與背板之間建立電學(xué)連接。對(duì)于微型發(fā)光二極管這種尺寸的器件,傳統(tǒng)的焊錫印刷工藝無(wú)法達(dá)到符合要求的精度。因此,采用各向異性導(dǎo)電膠或者共晶焊進(jìn)行芯片-背板之間的電學(xué)連接引起了研究人員的廣泛興趣。這兩種電學(xué)連接方式都需要在芯片與背板之間施加高溫和高壓。而對(duì)于向微型發(fā)光二極管芯片和背板之間的施壓,現(xiàn)有的方式為將一重物直接作用于芯片上,受限于設(shè)備的制造和控制精度,以及操作偏差,難以保證對(duì)芯片每次施壓的一致性,從而影響芯片和背板之間的電學(xué)連接質(zhì)量的穩(wěn)定性。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供了一種芯片焊接方法、背板和熱壓合設(shè)備,其旨在提供一種新的壓合焊接方式,提高對(duì)芯片施壓的一致性以提高芯片和背板之間的電學(xué)連接質(zhì)量的穩(wěn)定性。
本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的:
一種芯片焊接方法,包括以下步驟:
預(yù)備一容置腔,所述容置腔包括上腔和下腔,一背板設(shè)置在所述上腔和所述下腔之間,所述背板的焊接面設(shè)置有板焊盤(pán)和通風(fēng)孔,所述焊接面位于所述上腔一側(cè),所述通風(fēng)孔貫通所述背板而連通所述上腔與所述下腔;
將芯片置于對(duì)應(yīng)的板焊盤(pán)上,所述芯片包括芯主體和連接芯主體下表面的芯焊盤(pán),所述芯焊盤(pán)抵接所述板焊盤(pán),其中,所述通風(fēng)孔設(shè)置在當(dāng)所述芯焊盤(pán)抵接所述板焊盤(pán)時(shí)所述芯主體在所述焊接面的投影會(huì)與所述通風(fēng)孔存在重疊的位置處;
在所述上腔通入氣體使得所述氣體經(jīng)所述通風(fēng)孔進(jìn)入所述下腔;
焊接所述芯片。
進(jìn)一步的,所述焊接所述芯片為:對(duì)所述芯片和/或背板進(jìn)行加熱,所述加熱溫度范圍為80℃-500℃。
進(jìn)一步的,所述在所述上腔通入氣體使得所述氣體經(jīng)所述通風(fēng)孔進(jìn)入所述下腔為:所述上腔的腔壁開(kāi)設(shè)有進(jìn)風(fēng)口,所述下腔的側(cè)腔壁開(kāi)設(shè)有出風(fēng)口,通過(guò)調(diào)節(jié)所述進(jìn)風(fēng)口的進(jìn)風(fēng)速度和所述出風(fēng)口的出風(fēng)速度控制所述上腔與所述下腔之間的氣壓差,以使所述氣體經(jīng)所述通風(fēng)孔進(jìn)入所述下腔。
進(jìn)一步的,所述在所述上腔通入氣體使得所述氣體經(jīng)所述通風(fēng)孔進(jìn)入所述下腔中為:所述上腔的腔壁開(kāi)設(shè)有進(jìn)風(fēng)口,所述下腔的側(cè)腔壁開(kāi)設(shè)有出風(fēng)口,通過(guò)調(diào)節(jié)所述進(jìn)風(fēng)口和所述出風(fēng)口的開(kāi)啟角度控制所述上腔與所述下腔之間的氣壓差,以使所述氣體經(jīng)所述通風(fēng)孔進(jìn)入所述下腔。
進(jìn)一步的,所述在所述上腔通入氣體使得所述氣體經(jīng)所述通風(fēng)孔進(jìn)入所述下腔中為:在所述上腔通入氣體并控制所述上腔的氣壓,使所述氣體經(jīng)所述通風(fēng)孔進(jìn)入所述下腔。
進(jìn)一步的,所述芯焊盤(pán)和所述板焊盤(pán)之間設(shè)有各向異性導(dǎo)電膠,所述上腔的氣壓大于2.3*106Pa。
一種背板,與芯片連接,所述芯片包括芯主體和兩個(gè)連接于所述芯主體下表面的芯焊盤(pán),所述背板包括:
板主體,所述板主體在其上表面開(kāi)設(shè)有貫通設(shè)置的通風(fēng)孔;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于TCL科技集團(tuán)股份有限公司,未經(jīng)TCL科技集團(tuán)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911410711.5/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫(xiě)分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





