[發明專利]半導體裝置的制造方法在審
| 申請號: | 201911409782.3 | 申請日: | 2019-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN111584474A | 公開(公告)日: | 2020-08-25 |
| 發明(設計)人: | 萬·阿札·賓·萬·馬特;橫山岳 | 申請(專利權)人: | 富士電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L25/16 | 分類號: | H01L25/16;H01L25/07;H01L25/00 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 張欣;金玉蘭 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 制造 方法 | ||
本發明提供半導體裝置的制造方法。能夠可靠地接合接觸部件。將設定于平板狀的按壓工具(4)的主面的按壓區域(4a)配置于接觸部件(2a~2c)上。然后,邊加熱,邊使按壓工具(4)的按壓區域(4a)隨著在層疊基板(1)產生的翹曲而傾斜,將接觸部件(2a~2c)朝向層疊基板(1)按壓。由此,在用于接合接觸部件(2a~2c)的按壓時,即使因加熱而在層疊基板(1)產生翹曲,接觸部件(2a~2c)的位置偏移,也能夠將接觸部件(2a~2c)可靠地朝向層疊基板(1)按壓。
技術領域
本發明涉及半導體裝置的制造方法。
背景技術
包含IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絕緣柵雙極型晶體管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金屬氧化物半導體場效應晶體管)等半導體元件的半導體裝置例如作為電力變換裝置被利用。這樣的半導體裝置包括陶瓷電路基板,該陶瓷電路基板具有絕緣層,以及形成于絕緣層的正面且配置有半導體元件的多個電路圖案層。此外,在電路圖案層的預定區域上,介由焊料設置有用于安裝外部連接端子的筒狀的接觸部件。
在制造這樣的半導體裝置時,首先,在陶瓷電路基板的電路圖案層的預定區域上介由焊料配置接觸部件。然后,在該接觸部件上配置有按壓工具的狀態下加熱。這樣使焊料熔融,用按壓工具將接觸部件按壓到陶瓷電路基板側,使焊料固化。通過這樣的回流焊接工序,能夠在陶瓷電路基板的電路圖案層的預定區域進行接觸部件的焊料接合(例如參照專利文獻1)。
另外,專利文獻2公開了如下的工具,該工具具有由主體部和配置于該主體部上的框部件構成的臺座、以及配置于主體部上且框部件中的多個定位部件。在定位部件上表面的孔配置有電子部件。記載了定位部件在臺座的主體部上能夠變位地被夾持。但是,未記載由于定位部件沿著主體部上移動,所以在框內多個定位部件可能被傾斜地配置。
另外,專利文獻3公開了如下的焊接工具,該焊接工具是可以用于引線框的工具,其主體部在長度方向被分割成多個,且各分割體介由連結方棒連結,此外,在上述連結棒與分割體之間設置有允許在主體部長度方向上相對移動的間隙的焊接工具。該文獻為了降低加熱時的工具的翹曲的影響而將工具分割。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2014-187179號公報
專利文獻2:日本特開2015-91607號公報
專利文獻3:日本實開昭63-11168號公報
發明內容
技術問題
上述的陶瓷電路基板在絕緣層的背面形成有面積比形成于正面的電路圖案層的面積大的金屬層。因此,具備這樣的熱膨脹率不同的構成的陶瓷電路基板如果在回流焊接工序中被加熱,則(相對于重力方向)向下凸而產生翹曲。即使利用按壓工具按壓產生了翹曲的陶瓷電路基板上的接觸部件,也會在按壓工具和接觸部件中產生間隙。因此,無法利用按壓工具將接觸部件適當地朝向陶瓷電路基板按壓而使接觸部件與陶瓷電路基板無法接合,半導體裝置的品質可能降低。
本發明是鑒于這樣的情況而完成的,目的在于提供能夠可靠地接合接觸部件的半導體裝置的制造方法。
技術方案
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