[發明專利]顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201911408618.0 | 申請日: | 2019-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN111081721B | 公開(公告)日: | 2022-06-03 |
| 發明(設計)人: | 李杰良 | 申請(專利權)人: | 廈門天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 361101 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種顯示面板及顯示裝置,涉及顯示技術領域,沿垂直于顯示面板出光方向,顯示面板包括襯底基板、第一有源層、第一金屬層、過渡金屬層、第二金屬層、第二有源層和源漏極金屬層;第一晶體管包括第一有源膜、第二有源膜、第一柵極、第一源極和第一漏極,第一有源膜和第二有源膜設置于第一有源層,第一柵極設置于第一金屬層,第一源極和第一漏極設置于源漏極金屬層;過渡金屬層包括第一過渡金屬膜;第二金屬層包括第一金屬膜,第一過渡金屬膜和第一金屬膜之間形成存儲電容,且第一金屬膜和第一過渡金屬膜在襯底基板上的正投影重合,第一金屬膜和第一有源膜、第二有源膜在襯底基板上的正投影不重合,從而避免了存儲電容漏流增大的問題。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,更具體地,涉及一種顯示面板及顯示裝置。
背景技術
隨著近來移動通信終端和筆記本電腦之類的各種便攜式電子器械的發展,對于可應用于便攜式電子器械的平板顯示裝置的需求日益增加。
在常規的顯示裝置中,被形成在顯示面板中的像素電路一般僅設置LTPS(LowTemperature Poly-silicon,低溫多晶硅)結構的薄膜晶體管,且存儲電容的設置在層疊結構上往往會和有源層的設置相交疊,或者與層疊結構中存在的連接兩個膜層結構的過孔相交疊,如此設置會導致存儲的電容的漏流增大,不利于存儲電容的正常工作,從而也會對顯示面板的顯示效果造成影響。
發明內容
有鑒于此,本發明提供了一種顯示面板及顯示裝置,以解決顯示面板中所設置的薄膜晶體管和存儲電容的形成會導致存儲的電容的漏流增大的問題。
第一方面,本申請提供一種顯示面板,沿垂直于所述顯示面板的出光面的方向,所述顯示面板包括襯底基板、第一有源層、第一金屬層、過渡金屬層、第二金屬層、第二有源層和源漏極金屬層;
所述第一晶體管包括第一有源膜、第二有源膜、第一柵極、第一源極和第一漏極,所述第一有源膜和所述第二有源膜均設置于所述第一有源層,所述第一柵極設置于所述第一金屬層,所述第一源極和所述第一漏極均設置于所述源漏極金屬層;所述過渡金屬層包括第一過渡金屬膜;
所述第二金屬層包括第一金屬膜,所述第一過渡金屬膜和所述第一金屬膜之間形成存儲電容,且所述第一金屬膜和所述第一過渡金屬膜在所述襯底基板上的正投影重合,所述第一金屬膜和所述第一有源膜、所述第二有源膜在所述襯底基板上的正投影不重合。
第二方面,本申請提供一種顯示模組,所述顯示模組包括顯示面板。
與現有技術相比,本發明提供的一種顯示面板及顯示裝置,至少實現了如下的有益效果:
本申請所提供的顯示面板中包括低溫多晶硅薄膜晶體管和氧化物薄膜晶體管,且通過在低溫多晶硅薄膜晶體管所在的膜層層疊位置形成的存儲電容不與低溫多晶硅薄膜晶體管的第一有源膜在層疊方向上交疊,從而避免了存儲電容漏流增大的問題,有利于顯示面板的顯示效果的提升;且本申請顯示面板中低溫多晶硅薄膜晶體管、存儲電容和氧化物薄膜晶體管三者的制程都是相互獨立的,有利于工藝調試的方便性。
當然,實施本發明的任一產品必不特定需要同時達到以上所述的所有技術效果。
通過以下參照附圖對本發明的示例性實施例的詳細描述,本發明的其它特征及其優點將會變得清楚。
附圖說明
被結合在說明書中并構成說明書的一部分的附圖示出了本發明的實施例,并且連同其說明一起用于解釋本發明的原理。
圖1所示為本申請實施例提供的顯示面板的一種示意圖;
圖2所示為本申請實施例提供的圖1中PP’截面的一種結構示意圖;
圖3所示為本申請實施例提供的圖1中PP’截面的另一種結構示意圖;
圖4所示為本申請實施例提供的圖1中PP’截面的再一種結構示意圖;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廈門天馬微電子有限公司,未經廈門天馬微電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911408618.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種制備含氟硅烷中間體的方法
- 下一篇:礦區清潔能源的綜合運用系統
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





