[發明專利]顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201911408618.0 | 申請日: | 2019-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN111081721B | 公開(公告)日: | 2022-06-03 |
| 發明(設計)人: | 李杰良 | 申請(專利權)人: | 廈門天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 361101 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,沿垂直于所述顯示面板的出光面的方向,所述顯示面板包括襯底基板、第一有源層、第一金屬層、過渡金屬層、第二金屬層、第二有源層和源漏極金屬層;
所述顯示面板包括第一晶體管,所述第一晶體管包括第一有源膜、第二有源膜、第一柵極、第一源極和第一漏極,所述第一有源膜和所述第二有源膜均設置于所述第一有源層,所述第一柵極設置于所述第一金屬層,所述第一源極和所述第一漏極均設置于所述源漏極金屬層;所述過渡金屬層包括第一過渡金屬膜;
所述第二金屬層包括第一金屬膜,所述第一過渡金屬膜和所述第一金屬膜之間形成存儲電容,且所述第一金屬膜和所述第一過渡金屬膜在所述襯底基板上的正投影重合,所述第一金屬膜和所述第一有源膜、所述第二有源膜在所述襯底基板上的正投影不重合;
所述第一過渡金屬膜和所述第一柵極通過過孔電連接;所述過渡金屬層還包括甲過渡金屬膜和乙過渡金屬膜,所述甲過渡金屬膜通過過孔分別與所述第一有源膜和所述第一源極電連接,所述乙過渡金屬膜通過過孔分別與所述第二有源膜和所述第一漏極電連接;所述第一金屬膜在所述襯底基板上的正投影與所有所述過孔在襯底基板上的正投影均不重合。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括第二晶體管,所述第二晶體管包括第二柵極、第三有源膜、第二源極和第二漏極,所述第三有源膜設置于所述第二有源層,所述第二源極和所述第二漏極均設置于所述源漏極金屬層,且所述第一漏極和所述第二源極在所述源漏極金屬層電連接,所述第二源極和所述第二漏極均通過過孔與所述第三有源膜電連接。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第二柵極與所述第一金屬膜同層設置。
4.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第二柵極與所述第一過渡金屬膜同層設置。
5.根據權利要求3或4所述的顯示面板,其特征在于,所述第三有源膜遠離所述襯底基板的一側設置有第一絕緣膜和第二金屬膜,沿垂直于所述襯底基板所在平面的方向上,所述第三有源膜和所述第二金屬膜與所述第一絕緣膜的兩側接觸,且所述第一絕緣膜和所述第二金屬膜設置于所述第二有源層和所述源漏極金屬層之間;所述第一絕緣膜、所述第二金屬膜和所述第二柵極在襯底基板上的正投影位于所述第三有源膜在所述襯底基板上的正投影內。
6.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管,所述第二晶體管為氧化物薄膜晶體管。
7.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括平坦化層和發光功能膜層;所述平坦化層設置于所述源漏極金屬層遠離所述襯底基板的一側,所述發光功能膜層設置于所述平坦化層遠離所述襯底基板的一側。
8.根據權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述發光功能膜層包括陽極金屬層,所述陽極金屬層通過過孔與所述第一源極電連接。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1-8任一項所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





