[發明專利]一種抗高壓高速度電平轉換器

有效

• 申請號: 201911407002.1
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN113131917B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: 張長洪
• 申請（專利權）人: 圣邦微電子（北京）股份有限公司
• 主分類號: H03K19/00
• 分類號: H03K19/00;H03K19/0185
• 代理公司: 北京海虹嘉誠知識產權代理有限公司 11129
• 代理人: 朱亞娜;吳小燦

1.一種抗高壓高速度電平轉換器，其特征在于，包括第一反相器、第二反相器，所述第一反相器的輸入端與輸入邏輯電平信號相接，所述第一反相器的輸出端和所述第二反相器的輸入端均連接第一輸入NMOS管的柵極，所述第二反相器的輸出端連接第二輸入NMOS管，所述第一反相器的接地端、第二反相器的接地端、第一輸入NMOS管的源極和第二輸入NMOS管的源極均接地，所述第一反相器的穩壓電源端和第二反相器的穩壓電源端相連并與第一參考電壓相接，所述第一輸入NMOS管的漏極連接第一抗高壓PMOS管的漏極，所述第二輸入NMOS管的漏極連接第二抗高壓PMOS管的漏極，所述第一抗高壓PMOS管的源極連接第一中間節點，所述第二抗高壓PMOS管的源極連接第二中間節點，所述第一抗高壓PMOS管與所述第二抗高壓PMOS管的柵極互連于第三中間節點并與第二參考電壓相接；還包括第一鎖存PMOS管、第二鎖存PMOS管、第三鎖存NMOS管和第四鎖存NMOS管，所述第一鎖存PMOS管的漏極、所述第三鎖存NMOS管的漏極、所述第二鎖存PMOS管的柵極和所述第四鎖存NMOS管的柵極相接于所述第一中間節點，所述第一鎖存PMOS管的柵極、所述第三鎖存NMOS管的柵極、所述第二鎖存PMOS管的漏極和所述第四鎖存NMOS管的漏極相接于所述第二中間節點B，所述第三鎖存NMOS管和所述第四鎖存NMOS管的源極互連于第三中間節點并與第二參考電壓相接，所述第一鎖存PMOS管和所述第二鎖存PMOS管的源極直接與工作電壓相連；還包括用于采集并鎖存所述第一中間節點和所述第二中間節點下降沿的邊沿D觸發器， 所述邊沿D觸發器的輸出端Q與或非門邏輯控制器NOR相連，所述或非門邏輯控制器的第一輸入端與所述第二中間節點相接，第二輸入端與所述邊沿D觸發器的輸出端Q連接，輸出端為輸出邏輯電平信號。

2.根據權利要求1所述的抗高壓高速度電平轉換器，其特征在于，所述邊沿D觸發器的D端連接工作電壓，時鐘信號輸入端通過第四反相器連接于所述第一中間節點，復位端通過第五反相器連接于所述第二中間節點；所述第四反相器的輸入端接所述第一中間節點、輸出端接所述邊沿D觸發器的時鐘信號輸入端；所述第五反相器的輸入端接所述第二中間節點，所述第五反相器的輸出端接所述邊沿D觸發器的復位端，所述第五反相器的接地端連接所述第二參考電壓，其中，只有在所述邊沿D觸發器的時鐘信號輸入端的上升沿時刻，所述邊沿D觸發器的D端的邏輯狀態才會傳輸到所述邊沿D觸發器的輸出端；當所述邊沿D觸發器的復位端的電位為低電位時，所述邊沿D觸發器被復位，所述邊沿D觸發器的輸出端的電位保持為低電位。