[發明專利]焊盤結構及其制備方法和半導體器件

在審

• 申請號: 201911406374.2
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN113130427A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 劉森;向可強;劉盛富;劉筱偉;楊超
• 申請（專利權）人: 微龕（廣州）半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/48
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種焊盤結構，其特征在于，所述焊盤結構包括：

底部金屬層，包括若干分離的導電區；

中部金屬層，形成于所述底部金屬層上，所述中部金屬層與所述底部金屬層之間通過中間導電通孔連接；

頂部金屬層，形成于所述中部金屬層上，所述中部金屬層與所述頂部金屬層之間通過頂部導電通孔連接；

頂部絕緣層，設置于所述頂部金屬層上，所述頂部絕緣層內開設有顯露出所述頂部金屬層的上表面焊盤開口；

介質層，所述介質層分別設置于所述底部金屬層的各所述導電區之間的間隙、所述頂部金屬層與中部金屬層之間的間隙、所述中部金屬層與所述底部金屬層之間的間隙中；

其中，所述頂部金屬層的面積分別大于所述中部金屬層的面積和所述底部金屬層的面積，所述焊盤開口于所述中部金屬層所在平面上的投影包圍所述中部金屬層。

2.根據權利要求1所述的焊盤結構，其特征在于，所述底部金屬層包括至少一層子底部金屬層，每層所述子底部金屬層包括若干分離的子導電區；當所述底部金屬層包括兩層或兩層以上的底部金屬層時，相鄰兩層所述子底部金屬層中對應位置的所述子導電區之間通過第一導電通孔連接。

3.根據權利要求1所述的焊盤結構，其特征在于，所述中部金屬層包括至少一層子中部金屬層，所述子中部金屬層包括若干分離的導電區，所述底部金屬層的導電區和所述中部金屬層的導電區相對應。

4.根據權利要求1所述的焊盤結構，其特征在于，所述底部金屬層的面積小于所述中部金屬層的面積。

5.根據權利要求1所述的焊盤結構，其特征在于，所述中間導電通孔、頂部導電通孔或所述子導電通孔的間距大于或等于各導電通孔的孔徑的二倍。

6.根據權利要求1所述的焊盤結構，其特征在于，所述底部金屬層的若干所述導電區設置于所述中部金屬層的邊緣。

7.根據權利要求6所述的焊盤結構，其特征在于，所述中部金屬層包括四方形金屬層，所述四方形金屬層的四個頂點落在所述焊盤開口于所述中部金屬層所在平面上的投影的邊線上。

8.根據權利要求7所述的焊盤結構，其特征在于，所述底部金屬層包括四個所述導電區，四個所述導電區分別位于所述中部金屬層的四個頂角位置。

9.根據權利要求1所述的焊盤結構，其特征在于，所述中部金屬層至少包括兩層子中部金屬層，相鄰兩個所述子中部金屬層之間通過第二導電通孔連接。

10.根據權利要求1所述的焊盤結構，其特征在于，所述頂部金屬層至少包括兩層子頂部金屬層，相鄰的兩所述子頂部金屬層之間通過第三導電通孔連接。

11.根據權利要求10所述的焊盤結構，其特征在于，所述第三導電通孔于所述中部金屬層所在平面上的投影位于所述中部金屬層的外側。

12.根據權利要求1所述的焊盤結構，其特征在于，所述中間導電通孔的位置與所述底部金屬層的導電區的位置相對應。

13.根據權利要求1所述的焊盤結構，其特征在于，所述頂部絕緣層包括，頂部鈍化層，以及位于所述頂部鈍化層與所述頂部金屬層之間的頂部介質層；所述焊盤開口貫穿所述頂部鈍化層和所述頂部介質層。

14.根據權利要求1所述的焊盤結構，其特征在于，所述頂部金屬層包括八邊形、四邊形或圓形；所述焊盤開口包括八邊形、四方形或圓形；所述中部金屬層包括八邊形、四方形或圓形。

15.根據權利要求1-14中任意一項所述的焊盤結構，其特征在于，所述焊盤結構還包括半導體基板，所述半導體基板的靠近所述底部金屬層的表面形成有一摻雜區域，該摻雜區域作為浮置阱層，且所述浮置阱層與所述底部金屬層之間通過所述介質層隔離。