[發明專利]金剛線切割硅片制絨返工方法

在審

• 申請號: 201911405980.2
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111146085A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 梅樓建
• 申請（專利權）人: 南通曜世新材料科技有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L31/20;H01L31/0236
• 代理公司: 南京源古知識產權代理事務所(普通合伙) 32300
• 代理人: 馬曉輝

本發明公開了一種金剛線切割硅片制絨返工方法,將制程不良硅片置于酸/堿溶液中進行多次化學反應，對返工片進行二次制絨，再將硅片依次經過擴散、濕法切邊、去PSG、PECVD鍍膜、絲網印刷、燒結和篩選步驟制成成品。本發明對制絨原液進行調整，能夠使得返工硅片的刻蝕深度控制在0.35μm左右，并且控制硅片表面反射率在25%以下。

技術領域

本發明涉及金剛線切割技術領域，具體涉及一種金剛線切割硅片制絨返工方法。

背景技術

多晶硅太陽能硅片的切割方式主要有兩種：一種為砂漿切割，即利用鋼絲帶動砂漿中的碳化硅顆粒和硅片發生作用，進而進行切割；另一種為金剛線切割，即用電鍍的方法將金剛石顆粒固定在不銹鋼表面的鎳基合金層中，線鋸和金剛石顆粒共同運動進行切割。精鋼石線鋸切割技術與砂漿切割相比，具有切割速率快、環境負荷小以及切割鋸屑易回收等優勢，是當前硅片切割生產的主流技術。但現有的酸制絨工藝對金剛線切割多晶硅片存在一些列問題。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種金剛線切割硅片制絨返工方法，降低返工硅片的反射率，提升返工良率，提高返工硅片的轉換效率。

為解決上述技術問題，本發明采取如下技術方案：一種金剛線切割硅片制絨返工方法，將制程不良硅片置于酸/堿溶液中進行多次化學反應，對返工片進行二次制絨，再將硅片依次經過擴散、濕法切邊、去PSG、PECVD 鍍膜、絲網印刷、燒結和篩選步驟制成成品。

進一步地，所述的酸/堿溶液由HF、HNO₃、H₂O和制絨添加劑組成；所述制絨添加劑為比例0.14%；所述HF、HNO₃、H₂O的質量比為：HF:HNO₃:H₂O=1:4:2.2。

進一步地，所述的HF的濃度為51wt%。

進一步地，所述的HNO₃的濃度61%。

本發明的有益效果：本發明對制絨原液進行調整，能夠使得返工硅片的刻蝕深度控制在0.35μm 左右，并且控制硅片表面反射率在25%以下，從而保證了返工電池片的轉換效率和電池片良率。

具體實施方式

下面將通過具體實施方式對本發明的技術方案進行清楚、完整地描述。

實施例

本發明采用面積為 156.75 mm ×156.75 mm的金剛線切割多晶硅片，制絨設備采用centrothern 公司生產的多晶槽式設備。正常制絨的刻蝕深度為2.2 um，反射率為22%。

本發明的金剛線切割硅片制絨返工方法具體為：將制程不良硅片置于酸/堿溶液中進行多次化學反應，對返工片進行二次制絨。酸/堿溶液的主要成分為：HF(61wt%):HNO₃(61wt%): H₂O =1:4:2.2，制絨添加劑比例0.14%，室溫下反應 130s，制得酸/堿溶液。對返工片進行二次制絨，再將硅片依次經過擴散、濕法切邊、去PSG、PECVD 鍍膜、絲網印刷、燒結和篩選步驟制成成品。

本發明對制絨原液進行調整，能夠使得返工硅片的刻蝕深度控制在 0.35μm左右，并且控制硅片表面反射率在25%以下，從而保證了返工電池片的轉換效率和電池片良率。

上面所述的實施例僅僅是本發明的優選實施方式進行描述，并非對本發明的構思和范圍進行限定，在不脫離本發明設計構思的前提下，本領域中普通工程技術人員對本發明的技術方案作出的各種變型和改進均應落入本發明的保護范圍，本發明的請求保護的技術內容，已經全部記載在技術要求書中。