[發(fā)明專利]金剛線切割硅片制絨返工方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911405980.2 | 申請日： | 2019-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN111146085A | 公開（公告）日： | 2020-05-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 梅樓建 | 申請（專利權(quán)）人： | 南通曜世新材料科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306;H01L31/20;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 南京源古知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32300 | 代理人： | 馬曉輝 |
| 地址： | 226000 江蘇省南*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 金剛 切割 硅片 返工 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.金剛線切割硅片制絨返工方法，其特征在于：將制程不良硅片置于酸/堿溶液中進(jìn)行多次化學(xué)反應(yīng)，對返工片進(jìn)行二次制絨，再將硅片依次經(jīng)過擴(kuò)散、濕法切邊、去PSG、PECVD鍍膜、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)和篩選步驟制成成品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛線切割硅片制絨返工方法，其特征在于：所述的酸/堿溶液由HF、HNO3、H2O和制絨添加劑組成；所述制絨添加劑為比例0.14%；所述HF、HNO3、H2O的質(zhì)量比為：HF:HNO3:H2O=1:4:2.2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛線切割硅片制絨返工方法，其特征在于：所述的HF的濃度為51wt%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛線切割硅片制絨返工方法，其特征在于：所述的HNO3的濃度61%。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
