[發(fā)明專利]DDR芯片測試方法、裝置、設備和計算機可讀存儲介質(zhì)

在審

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• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN111210864A
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發(fā)明（設計）人: 劉沖;李振華
• 申請（專利權）人: 深圳佰維存儲科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/08
• 分類號: G11C29/08;G11C29/56
• 代理公司: 深圳市華勤知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 44426
• 代理人: 隆毅

本發(fā)明公開了一種DDR芯片測試方法、裝置、設備和計算機可讀存儲介質(zhì)。其中，DDR芯片測試方法包括：在檢測到啟動測試指令的情況下，向啟動測試指令中的目標測試終端發(fā)送測試指令，以使目標測試終端根據(jù)測試指令執(zhí)行上電及測試操作；獲取目標測試終端在指定時間內(nèi)的反饋信號，根據(jù)目標測試終端的反饋信號確定測試結果；按照預設通訊協(xié)議發(fā)送測試結果，測試結果用以指示DDR芯片的異常情況。本發(fā)明的DDR芯片測試方法能夠防止因出現(xiàn)漏測以及篩選錯誤而影響芯片良率的問題，而且全自動化操作還能夠節(jié)約人力、提高生產(chǎn)效率。

技術領域

本發(fā)明涉及芯片測試技術領域，具體涉及一種DDR芯片測試方法、裝置、設備和計算機可讀存儲介質(zhì)。

背景技術

DDR(Double Data Rate，雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器)芯片是一種應用在計算機及電子產(chǎn)品領域的一種高帶寬并行數(shù)據(jù)總線，標準規(guī)定的DDR測試主要分為三個方面，分別為：功能測試、時序參數(shù)測試、電氣性能測試。

常用的測試方法一般為操作人員手動將DDR芯片安裝到手機中，然后操作測試設備依次對每個手機中的DDR芯片進行開關機測試和功能測試，完成一個芯片的測試后，操作人員將其測試結果記錄下來，待下一工位再人工將合格和不合格的DDR芯片進行區(qū)分，以將其中測試合格的DDR芯片篩選出來。

采用人工檢測和篩選合格芯片的過程，容易出現(xiàn)漏測、漏記等情況，從而影響篩選出來的合格DDR芯片的良率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的是提出一種DDR芯片測試方法，旨在解決因人工檢測DDR芯片而導致產(chǎn)品良率較低的技術問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種DDR芯片測試方法，該DDR芯片測試方法包括：

在檢測到啟動測試指令的情況下，向所述啟動測試指令中的目標測試終端發(fā)送測試指令，以使安裝有DDR芯片的所述目標測試終端根據(jù)所述測試指令執(zhí)行上電及測試操作；

獲取所述目標測試終端在指定時間內(nèi)的反饋信號，根據(jù)所述目標測試終端的反饋信號確定測試結果；

按照預設通訊協(xié)議發(fā)送所述測試結果，所述測試結果用以指示所述DDR芯片的異常情況。

優(yōu)選地，所述獲取所述目標測試終端在指定時間內(nèi)的反饋信號，根據(jù)所述目標測試終端的反饋信號確定測試結果包括：

若在指定時間內(nèi)未接收到所述目標測試終端反饋的第一串口信號，或僅接收到所述目標測試終端反饋的第一串口信號未接收到第二串口信號，則判定所述DDR芯片的測試結果為異常；

若在指定時間內(nèi)接收到所述目標測試終端反饋的第一串口信號和第二串口信號，則對所述第二串口信號進行解析并得到測試結果。

優(yōu)選地，所述指定時間包括第一指定時間和第二指定時間，則所述獲取所述目標測試終端在指定時間內(nèi)的反饋信號，根據(jù)所述目標測試終端的反饋信號確定測試結果包括：

若在第一指定時間內(nèi)未接收到所述目標測試終端反饋的第一串口信號，則判定所述DDR芯片的測試結果為異常；

若在第一指定時間內(nèi)接收到所述目標測試終端反饋的第一串口信號，則繼續(xù)檢測在第二時間內(nèi)所述目標測試終端的反饋情況；

若在第二指定時間內(nèi)未接收到所述目標測試終端反饋的第二串口信號，則判定所述DDR芯片的測試結果為異常；

若在第二指定時間內(nèi)接收到所述目標測試終端反饋的第二串口信號，則對所述第二串口信號進行解析并得到測試結果。

優(yōu)選地，所述對所述第二串口信號進行解析并得到測試結果包括：

對所述第二串口信號的尾數(shù)進行解析；

若所述尾數(shù)為指定數(shù)值，則判定所述DDR芯片測試結果為正常；