[發(fā)明專利]存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)電荷保持性能的檢測方法及檢測裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911403926.4
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111145825B
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周陽;霍季萍
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: G11C29/08
• 分類號: G11C29/08;G11C5/02
• 代理公司: 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 董琳;陳麗麗

1.一種存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)電荷保持性能的檢測方法，其特征在于，包括如下步驟：

形成一存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包括襯底、位于所述襯底表面的堆疊層以及覆蓋于所述堆疊層表面的絕緣層，所述堆疊層包括沿垂直于所述襯底的方向依次疊置的隧穿層、電荷捕獲層和阻擋層；

施加一檢測電壓至所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)；

判斷所述檢測電壓施加的時(shí)間是否達(dá)到預(yù)設(shè)時(shí)間，若是，則停止施加所述檢測電壓；

停止向所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)施加所述檢測電壓后，獲取所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)放電過程中的放電電容隨時(shí)間變化的第一性能曲線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)電荷保持性能的檢測方法，其特征在于，形成一存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的具體步驟包括：

提供一襯底；

依次沉積所述隧穿層、所述電荷捕獲層和所述阻擋層于所述襯底表面，形成所述堆疊層；

形成覆蓋所述阻擋層表面的所述絕緣層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)電荷保持性能的檢測方法，其特征在于，所述襯底表面還包括自然氧化層，所述堆疊層位于所述自然氧化層表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)電荷保持性能的檢測方法，其特征在于，施加一檢測電壓至所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)之前，還包括如下步驟：

獲取所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)充電過程中充電電容隨電壓變化的第二性能曲線；

分析所述第二性能曲線，以所述充電電容開始保持穩(wěn)定時(shí)所對應(yīng)的電壓作為所述檢測電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)電荷保持性能的檢測方法，其特征在于，施加一檢測電壓至所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的具體步驟包括：

采用汞探針施加一檢測電壓至所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)電荷保持性能的檢測方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為5s～15s。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)電荷保持性能的檢測方法，其特征在于，所述襯底為多晶硅襯底。

8.一種存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)電荷保持性能的檢測裝置，其特征在于，包括：

處理模塊，用于向一存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)施加檢測電壓，所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包括襯底、位于所述襯底表面的堆疊層以及覆蓋于所述堆疊層表面的絕緣層，所述堆疊層包括沿垂直于所述襯底的方向依次疊置的隧穿層、電荷捕獲層和阻擋層；所述處理模塊還用于判斷所述檢測電壓施加的時(shí)間是否達(dá)到預(yù)設(shè)時(shí)間，若是，則停止施加所述檢測電壓；

獲取模塊，用于在停止向所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)施加所述檢測電壓后，獲取所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)放電過程中的放電電容隨時(shí)間變化的第一性能曲線。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)電荷保持性能的檢測裝置，其特征在于，所述獲取模塊還用于獲取所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)充電過程中充電電容隨電壓變化的第二性能曲線；所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)電荷保持性能的檢測裝置還包括：

分析模塊，用于分析所述第二性能曲線，獲取所述充電電容開始保持穩(wěn)定時(shí)所對應(yīng)的電壓，并獲取的電壓作為所述檢測電壓。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)電荷保持性能的檢測裝置，其特征在于，所述處理模塊包括汞探針，所述汞探針用于施加所述檢測電壓至所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)電荷保持性能的檢測裝置，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為5s～15s。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)電荷保持性能的檢測裝置，其特征在于，所述襯底為多晶硅襯底。