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[發明專利]一種圖案化的鈣鈦礦量子點光學膜的制備方法及應用有效

專利信息
申請號: 201911400511.1 申請日: 2019-12-30
公開(公告)號: CN113122249B 公開(公告)日: 2023-04-07
發明(設計)人: 鐘海政;詹雯杰 申請(專利權)人: 致晶科技(北京)有限公司;北京理工大學
主分類號: C09K11/66 分類號: C09K11/66;C09K11/02;C08L33/12;C08L33/20;C08K3/16;C08J5/18;G09F9/33;B82Y20/00;B82Y30/00
代理公司: 北京元周律知識產權代理有限公司 11540 代理人: 張瑩;楊曉云
地址: 100081 北京市海淀區*** 國省代碼: 北京;11
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摘要:
搜索關鍵詞: 一種 圖案 鈣鈦礦 量子 光學 制備 方法 應用
【說明書】:

本申請公開了一種圖案化的鈣鈦礦量子點光學膜的制備方法及應用,至少包括:將含有鈣鈦礦量子點前驅體的待處理膜,在激光的照射下,反應,得到圖案化的鈣鈦礦量子點光學膜;其中,鈣鈦礦量子點光學膜中含有鈣鈦礦量子點。該方法利用激光高能且精準的聚焦作用,在指定區域形成量子點。本申請可以利用激光直寫技術成型精度高的特點,完成微米、亞微米級圖案的制備。

技術領域

本申請涉及一種圖案化的鈣鈦礦量子點光學膜的制備方法及應用,屬于量子點發光技術領域。

背景技術

近年來,量子點因為具有良好的發光性能,窄發射,寬吸收,發光波長可調,發光效率高而受到研究人員廣泛關注。量子點的圖案化技術尤其是微圖案化在未來的Micro-LED顯示、柔性器件、光電探測及器件集成方面方面均具有重要應用。近年來,通過傳統的模板法、光刻技術已經能夠制備出二維和三維的圖案化量子點薄膜,但是其制備工藝復雜,成本昂貴,且對量子點破壞較大。而最近成為熱點的噴墨直寫技術受限于墨水獨特的流變特性,最小成型尺寸也大于20μm。

因此,亟需尋找一種既簡單快捷,又精確可控的量子點微圖案化技術手段。

發明內容

本申請提供了一種鈣鈦礦量子點微圖案的制備方法,該方法利用激光高能且精準的聚焦作用,在指定區域形成量子點。本申請可以利用激光直寫技術成型精度高的特點,完成微米、亞微米級圖案的制備,這是其他直寫技術所不能實現的。

根據本申請的一方面,提供了一種圖案化的鈣鈦礦量子點光學膜的制備方法,至少包括:將含有鈣鈦礦量子點前驅體的待處理膜,在激光的照射下,反應,得到圖案化的鈣鈦礦量子點光學膜;其中,所述鈣鈦礦量子點光學膜中含有鈣鈦礦量子點。

可選地,所述待處理膜中還含有透明樹脂基質;所述鈣鈦礦量子點前驅體分布在所述透明樹脂基質中。

可選地,所述待處理膜的厚度為0.01~500μm。

可選地,所述鈣鈦礦量子點前驅體包括鹵化物I和鹵化物II;

所述鹵化物I選自具有式I所示化學式的化合物中的至少一種:

M1X1n???式I

其中,M1為金屬陽離子,所述金屬選自In、Ag、Al、Ti、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Cu、Mn中的至少一種,X1為鹵素陰離子,所述鹵素選自Cl、Br、I中的至少一種,n為M的價態;

所述鹵化物II選自具有式II所示化學式的化合物中的至少一種:

A1X2???式II

其中,A1選自Cs+、CH3NH3+、CH5N2+、中的至少一種,X2為鹵素陰離子,所述鹵素選自Cl、Br、I中的至少一種中的至少一種。

優選地,所述鹵化物I和鹵化物II的摩爾比為0.6:1~1.4:1。

可選地,所述透明樹脂基質為溶解于二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亞砜極性溶劑中的透明材料。

優選地,所述透明樹脂基質包括聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醋酸乙烯酯、醋酸纖維素、聚砜、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇、ABS塑料、聚丙烯腈中的至少一種。

可選地,所述激光的波長為365nm~650nm,選用該波段的激光是因為所述鈣鈦礦前驅體吸收該波段的光并產生熱效應。

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